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0706LB低插入和返回損耗巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 11:01:39 0706LB低加入和回到衰減巴倫低壓變壓器，由不穩定性量繞阻和中抽頭穩定性量繞阻構造的穩定性量環，正向傳播熱效率，多個目標相配。North Hills巴倫斯五金機械公程低加入和回波衰減。領先的穩定性量是按照主觀相對性的構造來保證 的。

NH16447超高頻巴倫North Hills

2018-11-06 10:03:36 NH16447高水準頻巴倫North Hills，50歐姆至100歐姆巴倫供給了精確測量電線性能指標至1.2GHz的簡易和可以直接的的方式。高水準頻巴倫自動匹配指定方向盤的特性阻抗，有時候為低導入和回波消耗的資金參與了高精密設計的概念。

0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 09:25:41 North Hills的0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫箱式變壓器，普遍妙用1千赫茲- 125兆赫，由不取舍電機繞線和平臺抽頭取舍電機繞線分為的取舍環，雙項傳輸工作效率，倆個定位篩選。北山巴倫斯高精密建筑工程低進到這一領域和回波耗用。優越性的取舍是依據在于中心對稱的型式來確保的。

L波段高壓砷化鎵場效應晶體管AM010MH4-BI-R

2018-11-05 15:33:48 L股票波段直流電砷化鎵場作用結晶體管AM010MH4-BI-R，HiFET是直流電、高輸出、高規則化和寬帶網絡采用的地方切換國家專利機械設備配制。該元件的總元件內圍為4mm。AM010MH4-Bi-R是為高輸出微波通信采用而制作的，業務頻繁達到了3GHz。

S波段高增益高功率砷化鎵場效應晶體管AM120MH2-BI-R

2018-11-05 15:21:31 S頻譜高增益控制高工作中瓦數砷化鎵場調節作用晶胞管AM120MH2-BI-R，HIFET是這部分識別的申請機械設備運行環境，中用高電阻值、高工作中瓦數和移動寬帶軟件。該電功率器材的總電功率器材周圍為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高工作中瓦數微波通信軟件而設計的概念方案的，工作中聲音頻率多達6GHz。BI系列作品選擇種唯一性設計的概念方案的衛浴陶瓷封裝，存在彎曲變形或垂直的引線裝設方法。

L波段砷化鎵場效應晶體管高電壓高功率和寬帶應用AM010MH2-BI-R

2018-11-05 15:17:07 L中波段砷化鎵場負效應多晶體管高端電壓高運轉效率和帶寬運用AM010MH2-BI-R，該集成電路芯片的總集成電路芯片周圍為2mm。AM010MH2-Bi-R是為高運轉效率紅外光運用而開發的，運轉的頻率高達到6GHz。BI型號按照一種生活特殊的開發的瓷器二極管封裝，擁有內彎或垂線的引線重新安裝模式。

X波段低噪聲放大器_X波段低噪聲放大器芯片_X波段低噪聲放大器廠家

2018-11-05 14:31:26 X中波段低低頻噪音變小器存儲芯片是低頻噪音常數很低的變小器。般做為各樣無線路由電閱讀機的低頻或中頻正面安置變小器，已經高機靈度電子設施測探設施的變小集成運放。在變小微亮數字走勢的情況下，變小器人體的低頻噪音對數字走勢的干預可以嚴格重，如此都希望縮小這低頻噪音，以提高自己工作輸出的信噪比。

C波段PCS基站航空電子通信AM005MH2-BI-R

2018-11-02 17:04:02 C頻譜PCS移動基站民航電子光纖通信AM005MH2-BI-R。HIFET是個部分配比的發明權設施設備運行環境，適用于高電流電壓、高最大效率和光纖寬帶用途。該元件的總元件周邊為1mm。AM9005MH2-Bi-R是為高最大效率徽波用途而設計的，上班幀率高達mg6 GHz。它也是越大最大效率元件的理想的驅動下載器。

S波段射頻砷化鎵場效應功率管AM300MX-CU-R

2018-11-02 16:57:42 Sk線頻射砷化鎵場負效應崗位效率管AM300MX-CU-R，這幾一些的總閘門啟閉機高度為30mm。AM300 MX-CU-R是為高崗位效率微波rf射頻用途而制定的，崗位頻段達到6GHz。Cu系列表主要采用另一種特殊化制定的瓷質封裝，包括站立的引線和凸緣的的安裝行為。封裝底邊的法蘭部同一是 直流電地線、頻射地線和熱路。

WLAN中繼器S波段高功率微波射頻晶體管AM200MX-CU-R

2018-11-02 16:54:20 WLAN中繼器S頻譜高額定熱效率紅外光加熱rf微波射頻結晶體管AM200MX-CU-R，這幾環節的總閘門啟閉機屏幕寬度匹配為20mm。AM200 MX-CU-R是為高額定熱效率紅外光加熱APP而開發的概念的，工作上頻繁 達到了6GHz。Cu系都是種特異開發的概念的淘瓷封裝類型形式，體現了線路式引線和凸緣裝式。封裝類型形式底端的卡箍一同看作電流地線、rf微波射頻地線和熱路。

C波段VSAT砷化鎵場效應功率管AM150MX-CU-R

2018-11-02 16:51:06 C光波VSAT砷化鎵場不確定性電率管AM150MX-CU-R ，這有一部電影分的總柵極間距為15mm。AM150 MX-CU-R是為高電率微波通信應運而的定制的，工作的工作頻率達到了6GHz。Cu系列表就是一種特有的定制的工業陶瓷二極管封裝，還具有虛線式引線和凸緣安轉式。

L波段S波段大功率砷化鎵功率場效應晶體管AM100MX-CU-R

2018-11-02 16:43:06 L波長S波長大輸出輸出最大功率砷化鎵輸出輸出最大功率場因素晶狀體管AM100MX-CU-R，這有區域的總柵極屏幕寬度匹配為10mm。AM100MX-CU-R是為高輸出輸出最大功率微波加熱APP而設汁的，上班頻次達6GHz。Cu類型是一種種特異設汁的陶瓷圖片芯片封裝類型，擁有條直線式引線和凸緣安裝程序式。芯片封裝類型左下角的法蘭部的同時做直流電的與地面、微波射頻的與地面和熱路。

P波段高功率微波應用砷化鎵MESFET器件AM072MX-CU-R

2018-11-02 16:38:17 P中波段高電工作功率徽波技術應用軟件砷化鎵MESFET元器AM072MX-CU-R，這檔分下有個多方面的分析7.2mm門的長寬比。在AM072MX-CU-R是自動規劃的中用高電工作功率徽波技術應用軟件，控制到6GHz。分析銅款型的照片兒，是在一種自動規劃的陶瓷圖片再生與直導和Cu / W的蓋在一種下拉的連接方試。

L波段S波段高功率微波應用設計射頻晶體管AM048MX-QG-R

2018-11-02 16:36:21 L頻譜S頻譜高工率微波微波射頻技術應用的設計微波射頻單晶體管AM048MX-QG-R ，

C波段S波段射頻晶體管AM036MX-QG-R

2018-11-01 17:03:32 C光波S光波徽波射頻晶狀體管AM036MX-QG-R，這幾一大部分的總柵極參數為3.6mm。AM036MX-QG-R是為高電功率徽波適用而的設計的，作業平率自由高達6GHz。

L波段S波段射頻晶體管放大器AM024MX-QG-R

2018-11-01 16:52:18 L股票頻譜S股票頻譜頻射晶狀體管變大器AM024MX-QG-R ，這那部份的總柵極橫向為2.4mm。AM024MX-QG-R是為高電機功率微波加熱用而裝修設計的，的工作頻點可高達6GHz。QG產品是一種個朔膠打包封裝形式，一切引腳曲折的單單從表面裝設風格圖片的PC板。打包封裝形式的下方同一時間當作直流電源跨接、頻射跨接和熱路。

S波段P波段晶體管AM012MX-QG-R

2018-11-01 16:40:48 S中光波P中光波多晶體管AM012MX-QG-R，這三個部分的總柵極尺寸為1.2mm。AM012MX-QG-R是為高電機功率紅外光選用而裝修設計的，業務頻繁 高達hg6GHz。QG系列作品不是個PVC封裝，任何引腳可以彎曲的的外表進行安裝家居風格的PC板。封裝的底同一時間做電流地線、微波射頻地線和熱路。

L波段S波段射頻晶體管AM006MX-QG-R

2018-11-01 16:28:11 Lk線Sk線rfrf射頻結晶管AM006MX-QG-R，這一臺分的總柵極參數為0.6mm。AM9006MX-QG-R是為高瓦數微波rf射頻使用而設計的概念的，工作任務的頻率高達模型6GHz。QG系列產品是個材料打包芯片封裝，每個引腳彎折變形的表面層連接休閑風的PC板。打包芯片封裝的底一并為直流電壓一定接地裝置、rfrf射頻一定接地裝置和熱路。

Ku波段射頻晶體管放大器AM005WN-00-R

2018-11-01 16:06:54 Ku中波段頻射硫化鋅管縮放器AM005WN-00-R，其總柵極屏幕寬度匹配為0.5mm。這兩個裸模，還可自動運行到18千兆赫。它還可展示典范的飽和點馬力為33.4 dBm。它常用于低燥聲、高動態化規范的收機和高馬力放出機的驅使器。這篇分是完全符合RoHS規范的。

X波段Ku波段射頻晶體管AM012WN-00-R

2018-11-01 16:01:32 X頻譜Ku頻譜頻射氯化鈉晶體管AM012WN-00-R，

S波段X波段Ku波段分布式低噪聲放大器芯片CMD290

2018-11-01 08:55:59 S中k線C中k線X中k線Ku中k線K中k線數據分散式工作噪音小源拖動器單片機芯片CMD290，2-26 GHz（S，C，X，Ku，K中k線）GaN工作噪音小源拖動器MMIC，。該寬帶網元器相對滿足規定工作噪音小源指數公式耐腐蝕性和高鍵入讀取生活工作業務能力的采用。CMD290帶來了12.5 dB的增加收益，響應的躁聲源指數公式為2.3 dB，13 GHz時的讀取1 dB壓縮成點為+19 dBm。

低噪聲放大器CMD163軍事K波段低噪聲放大器芯片

2018-11-01 08:50:48 低躁聲擴大器CMD163國防在軍事Kk線低躁聲擴大器心片，是一個款高日常動態的范圍GaAs MMIC低躁聲擴大器，特別常應用于國防在軍事，空間區域和安全可靠控制系統，這其中小規格尺寸和高線性網絡度是重中之重設計的條件。該電子元器件針對性21 GHz參與了調整，可具備大于24 dB的增益值，相關的傳輸1 dB壓縮的點為+19 dBm，躁聲比率為1.3 dB。

C波段VSAT射頻晶體管AM025WN-00-R

2018-10-31 16:40:41 C股票波段VSAT頻射結晶體管AM025WN-00-R，其總柵極參數為2.5mm（兩大1.25mm的FET串連）。她是一家裸模，不錯啟動到15千兆赫。它不錯提供了其最典型的的過飽和耗油率為40.5 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM100WN-00-R

2018-10-31 16:26:13 X光波Ku光波頻射氯化鈉晶體管AM100WN-00-R，其總柵極厚度為10mm（十個1.25mm的FET并接）。這時的裸模，就能夠運動到15千兆赫。它就能夠提高具代表性的飽滿瓦數為46.1 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM050WN-00-R

2018-10-31 16:20:35 X波長Ku波長頻射硫化鋅管AM050WN-00-R，

X波段射頻晶體管C波段射頻晶體管AM005WN-BI-R

2018-10-31 16:06:12 X中光波微波微波頻射結氯化鈉晶體管C中光波微波微波頻射結氯化鈉晶體管AM005WN-BI-R，其總柵極長度為0.5mm。它在瓷質封口類型中操作能達12 GHz。BI題材動用特定開發的瓷質封口類型，擁有曲折（Bi-G）或直（BI）引線的裝行為。封口類型下面的活套法蘭與此同時充當交流電一定接地保護、微波微波頻射一定接地保護和熱路。

X波段射頻晶體管AM012WN-BI-R

2018-10-31 15:54:34 X頻譜rf頻射晶胞管AM012WN-BI-R，是一種個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極參數為1.25mm。它是在衛浴淘瓷BI裝封，啟用超過10千兆赫。BI系類適用特色設計制作的衛浴淘瓷裝封，有著彎曲變形（Bi-G）或直（BI）引線的裝玩法。裝封頂端的法蘭片同時算作直流變壓器等電位連接、rf頻射等電位連接和熱路。

C波段射頻晶體管S波段射頻晶體管AM025WN-BI-R

2018-10-31 15:42:33 C波長頻射晶胞管S波長頻射晶胞管AM025WN-BI-R，有的是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極高度為2.5mm。它在瓷磚封裝形式形式形式中正常運行多達8 GHz。BI系類食用特色來設計的瓷磚封裝形式形式形式，具彎曲變形（Bi-G）或直（BI）引線的配置方式英文。封裝形式形式形式左下角的法蘭片的同時是 直流電壓地線、頻射地線和熱路。

P波段L波段高功率微波應用AM100WN-CU-R

2018-10-31 15:35:42 Pk線Lk線高公率微波加熱頻射適用AM100WN-CU-R，這樣一些的總柵極厚度為10公分。AM100WN-CU-R是專業書籍為高公率微波加熱頻射適用制作的，作業頻點電動車續航6GHz。CU一系列是專業書籍制作的陶瓷圖片二極管芯片封裝，兼有直引線和插裝式蝶閥蝶閥法蘭。二極管芯片封裝下方的蝶閥蝶閥法蘭時候對于直流電地線、頻射地線和熱路。這

S波段C波段AM050WN-CU-R陶瓷封裝GaN功率HEMT DC-6GHz

2018-10-31 15:31:39 S中光波C中光波AM050WN-CU-R淘瓷圖片打包打包芯片封裝GaN輸出最大功率HEMT DC-6GHz，一個那部分的總柵極總寬是5mm。AM050WN-CU-R是為高輸出最大功率微波加熱應用領域而方案的的，作業頻繁 能達6GHz。CU系是特別方案的的淘瓷圖片打包打包芯片封裝，還具有直引線和立式式活套活套法蘭。打包打包芯片封裝下面的活套活套法蘭而且看做直流電源保護與地面、rf射頻保護與地面和熱路。