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描述
AMCOM的AM010MH4-Bi-R是雙國產的GaAs HIFET的一位置分。HiFET是高電壓、高電率、高規則化和聯通寬帶用于的位置搭配知識產權設配選配。該電子元件的總電子元件外面為4mm。AM010MH4-Bi-R是為高電率徽波用于而制定的的，工作的頻率高至3GHz。BI國產的用于一款獨特制定的的陶瓷圖片封裝，都具有曲折或線條的引線和凸緣連接方法。封裝底層的活套法蘭一并看做電流等電位連接、頻射等電位連接和熱路。這一個HiFET是達到RoHS標準規定的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM010MH4-BI-R	1周	50

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特征
25V漏極偏壓
寬帶部分匹配：直流-2.4GHz
高達3 GHz的高頻操作
高增益：g= 19dB@ 2.0GHz
高功率：P1dB＝31 dBm @ 2.0GHz
高線性度：IP3＝46dBm @ 2.0GHz
使用于可以有效散熱的陶瓷廠家封裝形式

應用
寬帶應用
高電壓20～28伏
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和超局域網
C波段VSAT
航空電子通信