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描述
AMCOM的AM120 MH2-Bi-R是GaAs HIFET雙型號的1位置。HIFET是位置配比的發明專利專用設備性能，主要用于高電壓值、高做工作電壓和網絡帶寬技術軟件應用。該耗油率電子元件的總耗油率電子元件外層為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高做工作電壓微波加熱技術軟件應用而設置的，做工作頻次超過6GHz。BI型號通過是一種特別的設置的瓷器裝封，兼具耐折或條直線的引線的安裝方式英文。裝封上端的法蘭部并且作為一個交流電一定接地保護、rf射頻一定接地保護和熱路。這一HiFET是合乎RoHS規范的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM120MH2-BI-R	1周	80

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特征
14伏
高達6 GHz的高頻操作
高增益：g= 14dB@ 2GHz
高功率：P1dB＝39 dBm @ 2GHz
高線性度：IP3＝49 dBm @ 2GHz
用來更有效導熱的陶瓷圖片打包封裝

應用
寬帶應用
高電壓10～14V
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和HyLLA
航空電子通信