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描述
AMCOM的AM012MX-QG-R是QG型號的GaAs MESFET的1有些。這1有些的總柵極高寬比為1.2mm。AM012MX-QG-R是為高做工作功率徽波采用而設置的，做工作頻繁 可以達到6GHz。QG型號的也是個朔膠芯片封裝，所有引腳屈曲的面裝置復古風的PC板。芯片封裝的下端與此同時當作直流變壓器的保護接地線、rf射頻的保護接地線和熱路。針對于高出5GHz的頻繁 ，各位推薦 將元件可以裝置在不銹鋼，散熱處理器上，這也是RF的保護接地線，以逃避PCB上的通孔電感。這一FET是適合ROHS規范標準的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM012MX-QG-R	1周	200

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特征
高達6GHz的高頻操作
高增益和高功率，P1dB＝25dBm @ 3.5GHz
Low Cost塑料包裝
3管用，導熱處理的，導熱處理器相對路徑

應用
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和超局域網
C波段VSAT