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描述
AMCOM的AM012WN-Bi-R也是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極尺寸為1.25mm。它是在淘瓷BI二極管芯片裝封，正常運作獨角獸高達10千兆赫。BI品類食用特殊性制作的淘瓷二極管芯片裝封，具備有拉伸（Bi-G）或直（BI）引線的裝配途徑。二極管芯片裝封底的蝶閥法蘭一并是直流電地線保護、微波射頻地線保護和熱路。這一部份是貼合RoHS準則的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM012WN-BI-R	1周	50

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特征
高達10 GHz的高頻操作
增益＝17dB，p5dB＝37 dBm，PAE＝51%，漏＝55% @ 2.8 GHz。
表面貼裝
有效率風扇散熱的上端

應用
高動態接收機
蜂窩無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
測試儀表
陸軍
干擾機