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描述
AMCOM的AM025WN-Bi-R都是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極大小為2.5mm。它在瓷器圖片二極管封裝中運營相當于8 GHz。BI品類用特定設計的的瓷器圖片二極管封裝，還具有屈曲（Bi-G）或直（BI）引線的裝設具體方法。二極管封裝邊側的活套法蘭一起做電流地線、rf射頻地線和熱路。整地方是按照RoHS規定的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM025WN-BI-R	1周	50

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特征
高達8 GHz的高頻操作
增益＝16 dB，p5dB＝40 dBm，PAE＝52%，漏極＝56% @ 3 GHz。
表面貼裝
能夠水冷散熱的下端

應用
高動態接收機
蜂窩無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
測試儀表
陸軍
干擾機