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CREE的CMPA1D1E030D是款氫氟酸處理硅單晶體上隨著氮化鎵 (GaN) 高微電子挪動率硫化鋅管 (HEMT) 的單面紅外光整合用電線路 (MMIC)；CMPA1D1E030D選擇0.25μm柵極厚度生產工藝工藝。與硅相較于較，GaN-on-SiC具更進一步優異的的性能參數；砷化鎵或硅基氮化鎵；主要包括較高的熱擊穿場強；較高的是處于飽和狀態電子無線漂移使用率和較高的熱傳導指數。

有特點

27 dB 小訊號增益(yi)值值

30 W 主要表現 PSAT

崗位相(xiang)電壓高至(zhi) 40 V

高穿透場強

中高溫度遠程控制

用域

小行星通訊網(wang)絡上漲時延

新產品金橋銅業跨接線的(de)截面(mian)積大小

描術(shu)：30瓦；13.75 至 14.5 GHz；40V；GaN MMIC 輸(shu)出(chu)功率變小器

低點概率(MHz)：13750

最快(kuai)頻(pin)段(duan)(MHz)：14500

最快值效果工作效率(W)：30

增加收(shou)益值(dB)：26.0

能力（％）：25

的(de)工作輸出功(gong)率(lv)(V)：40

的方式：MMIC 裸片(pian)

封口類(lei)屬：Die

技(ji)術應用(yong)：GaN-on-SiC

珠海市立維創展科枝有限制工司商標授權生產商CREE紅外光電(dian)子(zi)器件，假如還(huan)要購(gou)CREE產品(pin)設備，請點一下左下電(dian)話客服連系我國！！！