應用包括獨力柵極偏置設定的串行多晶體管的GaN HEMT拖動器的線形增強
更新用時:2018-05-04 13:53:07 瀏覽訪問:9182
Kanika Saini,Sanjay Raman,Amin K. Ezzeddine,Ho C Huang:選用含有獨立空間柵極偏置調整的串并聯結晶管的GaN HEMT放縮器的非線性怎強。
GaN HEMT兼備較高的傳輸電熱效率高密度和較寬的上行寬帶質量。可是,GaN HEMT的線型網絡典例地比GaAs電子元元件的線型網絡更差。今天提供 好幾個種簡簡單單的手段來上升GaN HEMT的線型網絡度。所提供 的手段是將電子元元件平均分配與孤立調整的柵極偏置電阻值電容串聯的諸多子單元,第二將電熱效率合并給子單元傳輸。伴演擴大器..