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CREE的CMPA1D1E025F是款炭化硅單晶體上結合氮化鎵 (GaN) 高自動化搬遷率納米線管 (HEMT) 的片式微波射頻融合電源線路 (MMIC)；用 0.25 μm 柵極面積制作而成工序。與硅比起來較，GaN-on-SiC還具有愈發非常好的使用性能；砷化鎵或硅基氮化鎵；構成更快的擊穿電壓場強；更快的過剩電子漂移成功率和更快的傳熱性公式。CMPA1D1E025 應用 10 絕緣線；25 mm x 9.9 mm；合金材料/瓷器法蘭片盤二極管封裝要能確保最滿意的機電產品和熱比較穩判定。

表現

24 dB 小警報收獲值

40 W 典范脈(mo)沖造成的網絡信號(hao) PSAT

特(te)殊直(zhi)流電壓(ya)高至(zhi) 40 V

OQPSK 下(xia) 20 W 線形工作電壓

A/B類高(gao)收獲(huo)；高(gao)效益率 50 Ω MMIC Ku 的(de)頻率段(duan)高(gao)馬力(li)放小器(qi)

廣泛應用方向

軍品用(yong)和商用(yong)廚房 Ku 中波段(duan)雷達(da)探測

商品(pin)金橋銅業跨接線的截面積大小

描述英文：25瓦(wa)；13.75 至 14.5 GHz；40V；Ku 股(gu)票波段 GaN MMIC 工率變成器

低點頻點(MHz)：13500

很高聲音頻率(MHz)：14500

最大值(zhi)所(suo)在工作電壓(W)：25

增益(yi)值值(dB)：26.0

運轉(zhuan)成功率（％）：16

固(gu)定電阻(V)：40

型號：封裝類(lei)型的MMIC

打包封裝等級分類：法蘭片盤

的技術：GaN-on-SiC

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