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Qorvo的TGA2573-2就是款寬(kuan)帶網，高功(gong)效GaN HEMT變(bian)大器，適用Qorvo生(sheng)產(chan)方式的0.25-um GaN on SiC技術(shu)造(zao)成。業務頻點標(biao)準(zhun)為(wei)2至18 GHz，在30 V的漏極偏壓下，飽和傳輸電率(lv)為(wei)40 dBm，PAE為(wei)20％，警報(bao)增益控制為(wei)10 dB。

TGA2573-2截然適(shi)配50歐(ou)姆(mu)，并(bing)在二(er)個(ge)RF串口上集變成了DC堵塞電解電容，尤其最合適(shi)支持系統商業(ye)性和(he)國防(fang)安全涉及到的(de)軟(ruan)件應用。

TGA2573-2是100％DC和晶圓(yuan)上(shang)的RF測(ce)試測(ce)試，以確保安全(quan)生產(chan)適合(he)安全(quan)性(xing)能(neng)國家標準(zhun)。無鉛且貼合(he)RoHS基準(zhun)。

關鍵優勢特點

• 平率規模：2至18 GHz
• PSAT：VD = 30 V時為40 dBm
• PAE：主要表現的20％
• 小信息收獲：10 dB
• 回波材料耗費：15 dB
• 偏置：VD = 30 V，IDQ = 500 mA，主要表現值VG = 2.3 V.
• 工藝：在SiC上適用0.25-um GaN
• 尺寸規格：2.55 x 5.54 x 0.1 mm

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