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我們大家評估了了個耐熱性較高指標的GaN MMIC熱錯誤率放縮器操作在40MHz到400MHz互相。這種體現80W激光脈沖造成的（100US激光脈沖造成的屏幕寬度識別和10%占空比）MMIC再循環）讀取熱錯誤率（P5dB），40MHz，50W錯誤率為54%約有30%的錯誤率在大部門的中光波，及其在400MHz時，錯誤率越來越降到30W，錯誤率為22%。40-400MHz頻段的熱錯誤率增益控制為25dB。這種寬度帶耐熱性指標是可以通過栽剪系統來體現的。讀取電位差，并在使用獨一無二的聯通網絡帶寬電路板系統識別拓補學。不同系統的詳細介紹構思系統并給定識別電路板系統。平均值條款內容-聯通網絡帶寬放縮器，高電壓降系統，微波加熱集成電路芯片，GaN MMIC PA.

一、引言
寬帶、大功率、高效率放大器是關鍵高級通信系統中的元素，如搜索和救援消防員、警察和海岸用軟件無線電警衛。實現寬帶的傳統技術放大是利用行波（TW）方法〔1, 2〕或設計寬帶匹配電路進行變換。該設備的輸入阻抗和輸出阻抗達到50歐姆（3）。這個TW技術使用多個裝置模擬50歐姆。傳輸線實現寬帶寬。寬頻帶匹配方法具有尺寸小的優點。然而，如果大功率器件的輸出阻抗相差很大從50歐姆，這種方法的輸出匹配電路遭受大尺寸，以及高射頻損耗。這種高射頻損耗嚴重降低放大器輸出。權力與效率。本文將FET串聯堆疊技術應用于最大化功率從PA [4-9]。還有大小功率級器件優化綜合最優
輸出阻抗接近50歐姆。這種方法使相對輸出阻抗匹配電路的設計，導致匹配電路中的低射頻損耗，導致高輸出功率寬帶高性能功率增加效率。
二。GaN單片集成電路設計
獲得超過20dB的功率增益，這是一個標稱規格在許多應用中，兩階段配置與基于TrimQuin的0.25m選擇級間匹配GaN HEMT工藝。圖1示出50W單片集成電路的照片。第一級器件尺寸為2.4mm，分為兩個1.2mm的路徑。第二級器件尺寸為16.8mm。
四，3系列1.4毫米HEMT組成。3x1.4mmHIFET裝置是DC和RF的三個1.4mm單位單元。
一系（圖2）。電流偏置電阻值和rf射頻模擬傳輸特性電阻值本身HIFET全都是1.4mm企業充電的幾倍。器，格外是在高頻段。經由盡可能的考慮企業單元專用設配的深淺和單元單元專用設配的占比一系，小編可以升級優化HIFET模擬傳輸特性電阻值為非常接近50歐姆，以實現目標光纖寬帶能。