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弗吉尼亞理工大學，弗吉尼亞州阿靈頓 
Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：使用具有獨立柵極偏壓控制的并聯晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強。

GaN HEMT更具更高效果額定工作效率黏度和網絡帶寬寬下的更高生產率。只不過GaN HEMT的波形度經常比GaAs元件的波形度差。文章推出者了了種簡潔明了的方式來有效改善GaN HEMT的波形度。所推出者的方式是將元件劃分出與獨特掌控的柵極偏置電壓值電容串聯的多家子第一模快，但是上下聯第一模快效果做出額定工作效率組合公式。

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