欧美亚洲一区-欧美激情一区-欧洲一区二区-欧美激情一区二区

CREE的CMPA2735030是種可根據氮化鎵 (GaN) HEMT 的片式徽波集合電路板 (MMIC)。與硅或砷化鎵比起來較，GaN具備有更多表現出色的穩定性；比如極高的損壞場強；極高的飽和智能漂移生產率和極高的導電比率。與Si和GaAs納米線管不同之處較，GaN HEMT還供給了更強的熱效率密度計算公式和更寬的速率。CMPA2735030例如多級電抗更換公率縮放器的設計一個構想，也能進行較為寬的傳輸速率。

顯著特點

額定值的電壓高達到 50 V

高熱擊穿場強

長寬比為 5mm x 5mm；QFN 封(feng)裝形(xing)式

高溫環境度食用

軟件應用鄰域

商(shang)用型和航(hang)天(tian)軍工用輸入脈(mo)沖聲(sheng)納輸出功率擴(kuo)大器

廠品規格尺寸

分析：30 W、2.7 - 3.5 GHz、50 V、GaN MMIC 額定功率放(fang)小器

最便宜頻(pin)次(MHz)：2700

至高聲音頻率(MHz)：3500

高達值(zhi)輸(shu)出精度功效(W)：30

增益(yi)控制(zhi)值(zhi)(dB：)30.0

辦公生產率(lv)（％）：45

額定值(zhi)工(gong)作(zuo)電(dian)壓(V)：50

的形式：離散裸心片

封口類型(xing)：Die

科技：GaN-on-SiC

上海市立(li)維(wei)創展科技發(fa)展有限機構(gou)機構(gou)授權證(zheng)書生產(chan)商(shang)CREE微波(bo)通信器材，如果必須要(yao)購CREE軟件，請彈框(kuang)右則電話客服連續我(wo)國(guo)！！！