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CMPA1C1D060D是款氧化硅多晶硅上只能根據氮化鎵 (GaN) 高電子器件搬遷率多晶體管 (HEMT) 的單面微波射頻集合電路原理 (MMIC)；CMPA1C1D060D運用0.25 μm柵極外形尺寸設計制作制作流程。與硅相較于較，GaN-on-SiC具備有比較不錯的功能；砷化鎵或硅基氮化鎵；涉及到較高的熱擊穿場強；較高的供大于求智能電子漂移使用率和較高的導熱性常數。

特征英文

掌握 26 dB 小的信號增加(jia)收(shou)益值

60 W 經典 PSAT

額定功率端電壓(ya)高至 40 V

高擊穿電壓場強

中高溫度控住

使用領域

PTP 無線wifi通迅

通(tong)(tong)信(xin)衛星(xing)網絡(luo)通(tong)(tong)訊(xun)上升(sheng)線路

車輛規模

描繪(hui)：60瓦；12.7 至 13.25 GHz；40V；GaN MMIC 輸出功率(lv)擴大器

最底幾率(lv)(MHz)：12700

很(hen)高幾(ji)率(MHz)：13250

高(gao)達值(zhi)讀取最大功率(W)：65

增加(jia)收益值(zhi)(dB)：26.0

使用率（％）：30

穩定直流(liu)電壓(ya)(V)：40

的模式(shi)：MMIC 裸片

芯(xin)片封裝行業類別：Die

高關鍵(jian)技術領域：GaN-on-SiC