欧美亚洲一区-欧美激情一区-欧洲一区二区-欧美激情一区二区

CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基(ji)材上的(de)氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體(ti)管(HEMT)。與其它同類產品相比(bi)，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的(de)功率附帶效率。與硅或(huo)砷(shen)化鎵相比(bi)較(jiao)，GaN具有更(geng)(geng)加優異的(de)性(xing)能；包含更(geng)(geng)高的(de)擊穿場強；更(geng)(geng)高的(de)飽和電子漂移效率和更(geng)(geng)高的(de)導(dao)熱系數。與GaAs晶體(ti)管相比(bi)較(jiao)，GaN HEMT還(huan)推出更(geng)高的(de)功率密度和更(geng)寬的(de)帶寬。CGHV96050F1使用(yong)金屬/陶瓷法蘭盤封裝形式，能夠實現(xian)最好電力設備和熱穩(wen)定性。

結構特征

7.9–8.4GHz本職工作

80WPOUT（主要表現值）

>13dB工作電壓增加收益(yi)值(zhi)

33%常(chang)見線型PAE

50Ω內部的達配

<0.1dB功(gong)效(xiao)變(bian)低

技術應用范疇

遙感衛星通訊網

室內地坪寬帶網

服務規格為

描素(su)：50瓦(wa)；7.9-9.6GHz；50Ω；讀取/輸(shu)入輸(shu)出(chu)配搭GaNHEMT

比較低聲音(yin)頻率(lv)(MHz)：7900

最多規律(MHz)：8400

很高值輸(shu)入工(gong)率(W)：50

增加收益值(dB)：13.0

速度（％）：33

特殊(shu)輸出功率(lv)(V)：40

的行駛：二(er)極管(guan)封裝的行駛分立結晶管(guan)

封裝類(lei)型主要形式(shi)專業(ye)類(lei)別(bie)：法蘭片盤

科技運用：GaN-on-SiC