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CGHV50200F是(shi)種專的設計用在高(gao)效化氮化鎵（GaN）高(gao)電子(zi)遷(qian)移率(lv)晶(jing)體管（HEMT）；高(gao)增益(yi)和寬帶寬性能；從而使得(de)CGHV50200F成為了(le)對流層光學散射通(tong)訊(xun)的最(zui)佳選擇；4.4-5.0GHzC頻率(lv)段衛星(xing)通(tong)訊(xun)應用(yong)與超低空。CGHV50200F選用(yong)陶(tao)瓷/金屬法蘭封裝形式。

結構特征

4.4–5.0GHz的工(gong)作(zuo)

180W較為常見(jian)PSAT

11.5dB常見到最大功率增益控制值

48%種類電源適配器效應

50Ω內(nei)部管理適(shi)用

應用行業行業

遙感衛星通信網絡

凌(ling)駕視覺(jue)——BLOS

熱對流(liu)層光(guang)學元件散射通迅(xun)

類產品型號

介紹(shao)：200瓦；4400-5000MHz；50Ω手機輸入/效(xiao)果自適(shi)應(ying)；氮化鎵高(gao)光電子(zi)搬遷(qian)率單晶體管

最(zui)低標準幀(zhen)率(MHz)：4400

極高工作頻率(MHz)：5000

最高的人值效(xiao)果輸出(W)：200

增益控(kong)制值(dB)：11.5

運轉提高(gao)效率（％）：33

額定(ding)值(zhi)輸出(chu)功(gong)率(V)：40

內容：封口內容分立多(duo)晶體管

二極管封裝款式:法蘭盤盤

能力APP：GaN-on-SiC