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自偏置(zhi)低(di)噪(zao)聲放大器(qi)主要針對目前自偏置(zhi)放大器(qi)的(de)噪(zao)音和(he)增益頻帶寬(kuan)度無法滿(man)足(zu)各種(zhong)的(de)問題。主要包括兩級功率放大電(dian)(dian)路，第一級功率放大電(dian)(dian)路由功率電(dian)(dian)感L2組成、NMOS管M1、PMOS管M2、負反(fan)饋(kui)電(dian)(dian)阻值R1與負載電(dian)(dian)源(yuan)電(dian)(dian)路Z1相接；第(di)一級功(gong)率放大(da)(da)電(dian)(dian)路的輸出(chu)端連接第(di)二級功(gong)率放大(da)(da)電(dian)(dian)路，第(di)二級功(gong)率放大(da)(da)電(dian)(dian)路由共源(yuan)NMOS管(guan)(guan)M3和匹配電(dian)(dian)阻R2組成。該M1管(guan)(guan)、M2管(guan)(guan)和M3管(guan)(guan)用作提供電(dian)(dian)壓增(zeng)益(yi)(yi)，負反饋電(dian)(dian)阻值R1和功(gong)率電(dian)(dian)感L2用作輸入特(te)(te)性(xing)阻抗，負載電(dian)(dian)源(yuan)電(dian)(dian)路Z1拓展增(zeng)益(yi)(yi)頻(pin)帶寬(kuan)度，匹配電(dian)(dian)阻R2用作輸出(chu)特(te)(te)性(xing)阻抗。

CHA3666-99F是(shi)款兩級(ji)自偏置寬帶單芯片(pian)低噪聲放大器(qi)。

CHA3666-99F采用標(biao)準PHEMT工藝技術(shu)：25um柵(zha)極(ji)長度、穿過(guo)襯底的通(tong)孔(kong)、空氣橋和電子束柵(zha)極(ji)光刻技術(shu)。

主要特殊性

寬帶性能：6-17GHZ

1.8db噪聲(sheng)系數

26dbm三階截距點

1db壓縮時的17dbm功(gong)率

21db增益(yi)值

低電流電功耗測試

直流電(dian)偏置電(dian)壓：Vd=4.0伏@ld=80MA

封裝尺寸1.47x1.47x0.1mm