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CREE的(de)(de)(de)CGHV96130F是(shi)炭(tan)化(hua)硅(SiC)基本材料上的(de)(de)(de)氮(dan)化(hua)鎵(GaN)高搬遷率(lv)硫化(hua)鋅管(HEMT)與(yu)的(de)(de)(de)技術水平好于，CGHV96130F內部人員認知(IM)FET具(ju)備(bei)著突(tu)出的(de)(de)(de)瓦數追加轉化(hua)率(lv)。與(yu)砷化(hua)鎵相比之下，GaN更(geng)具(ju)更(geng)優質(zhi)的(de)(de)(de)性；包涵更(geng)大(da)(da)的(de)(de)(de)熱擊穿場強；更(geng)大(da)(da)的(de)(de)(de)飽和狀態網上漂移(yi)流速和更(geng)大(da)(da)的(de)(de)(de)熱導率(lv)。與(yu)GaAs晶(jing)胞管相較，GaN HEMT還兼有(you)更(geng)大(da)的(de)最大(da)功率密度(du)單位和更(geng)寬(kuan)的(de)網絡帶寬(kuan)。CGHV96130F利(li)用金屬材質/陶(tao)瓷制品卡箍裝封(feng)還可以(yi)實行最好(hao)的(de)電氣(qi)公司和熱安全穩確(que)定(ding)。

的特點

166WPOUT（非常典(dian)型值(zhi)）

7.5dB功效(xiao)增益值值

42%典(dian)型(xing)性PAE

50Ω內(nei)壁適應

<0.3dB額(e)定功率減(jian)退

廠品要求

闡述(shu)：130瓦；8.4-9.6GHz；50Ω；核心主要用于X頻譜雷(lei)達(da)天線選用的鍵(jian)入/模擬輸(shu)出適(shi)應(ying)GaNHEMT

面值(zhi)最小頻繁 (MHz)：8400

較大 次數(MHz)：9600

更(geng)高值輸出(chu)的功(gong)效(W)：130

生產率（％）：42

額定負載輸出功率(V)：40