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CREE的PTVA101K02EV LDMOS FET設計用(yong)作1030MHz/1090MHz頻率段的(de)(de)功率放大器應用(yong)領域。PTVA101K02EV-V1特性(xing)(xing)包含具備(bei)(bei)螺栓穩固(gu)法蘭盤(pan)的(de)(de)高增益和(he)耐高溫高性(xing)(xing)能封裝。選用(yong)Wolfspeed前沿的(de)(de)LDMOS工藝技術；PTVA101K02EV-V1具備(bei)(bei)優異的(de)(de)熱穩定性(xing)(xing)和(he)優質系統的(de)(de)可靠性(xing)(xing)。

的特點

移動寬帶插入兼容

高(gao)增加收益、提(ti)高(gao)質量率

集成型化ESD防護(hu)

嫩模(mo)三維模(mo)型2級(ji)（依據ANSI/ESDA/JEDECJS-001）

低對流傳熱因子

無鉛并(bing)實(shi)現RoHS準則

在(zai)MODE-S輸入脈(mo)沖具體情況(kuang)下是可以能受1000W的(de)10:1環境下失諧（其(qi)他相角）；（32μS調用/18μS關閉程序(xu)）X80；LTDF=6.4%。

利用鄰域

1030至1090MHz幀率段(duan)的電率變成(cheng)器(qi)

CREE（科(ke)(ke)銳(rui)）確立于(yu)(yu)1987年(nian)(nian)，CREE科(ke)(ke)銳(rui)擁有30這么多年(nian)(nian)的(de)(de)帶寬(kuan)GAP鋼筋取樣(yang)料(liao)和(he)革新(xin)(xin)產(chan)品(pin)上市的(de)(de)，CREE科(ke)(ke)銳(rui)就是(shi)一個(ge)完善的(de)(de)制作合作項目盟(meng)友，貼(tie)合rf射(she)頻的(de)(de)的(de)(de)需求，CREE科(ke)(ke)銳(rui)為行業(ye)界技能(neng)最前沿的(de)(de)刷(shua)卡機的(de)(de)設備給予更(geng)強(qiang)的(de)(de)功效和(he)更(geng)低的(de)(de)基本(ben)功能(neng)材料(liao)耗費。CREE科(ke)(ke)銳(rui)由(you)最慢慢的(de)(de)GaN材料(liao)LED廠(chang)品(pin)設備新(xin)(xin)技術(shu)更(geng)優全地球，到紅外光頻射(she)與(yu)mm毫米波(bo)(bo)基帶芯片(pian)廠(chang)品(pin)設備，CREE科(ke)(ke)銳(rui)于(yu)(yu)2017年(nian)(nian)拆分出微波(bo)(bo)通(tong)信微波(bo)(bo)射(she)頻加盟(meng)品(pin)牌Wolfspeed，以(yi)聯通(tong)寬(kuan)帶、大(da)公率擴大(da)器企業(ye)產(chan)品(pin)為上海特(te)色。

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