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正式發(fa)布時:2023-03-10 16:33:00 看(kan):1317
Wolfspeed的CG2H30070F是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。具有輸入適配,能夠在0.5-3.0GHz范圍之內提供最理想的瞬時寬帶性能。與硅或砷化鎵相比較,GaN具有更優越的使用性能;CG2H30070F包括更好的擊穿場強;更好的飽和電子飄移速度和更好的導熱系數。與Si和GaAs晶體管相比較,GaN HEMT還(huan)提供了更(geng)好的(de)功(gong)率(lv)密度和(he)更(geng)寬(kuan)的(de)帶寬(kuan)。CG2H30070F選(xuan)用2導線金屬/陶瓷法蘭盤(pan)封裝(zhuang),可以(yi)實現最理想的(de)電氣和(he)熱穩定(ding)性。

表現
0.5–3.0GHz軟(ruan)件外接電源電線
28V時標稱(cheng)值一(yi)般選擇85WPOUT
10dB工作功(gong)率(lv)增益(yi)值值
58%的(de)改裝排氣(qi)管使用率
組織結構替換
操作
帶寬放小器
微波通信反擊預案
渦流串擾
汽車雷達探測系統
數據分析接
CREE(科(ke)(ke)銳(rui))建立于1987年,CREE科(ke)(ke)銳(rui)滿足30很(hen)多年的(de)寬(kuan)帶網GAP原料(liao)料(liao)和企業(ye)創新技術設(she)備(bei),CREE科(ke)(ke)銳(rui)是一個(ge)個(ge)詳細完(wan)整(zheng)的(de)結構(gou)設(she)計(ji)媒體合作盟友,合乎(hu)rf射頻(pin)的(de)業(ye)務需求,CREE科(ke)(ke)銳(rui)為(wei)行在業(ye)內技術應用遙(yao)遙(yao)領先的(de)環(huan)保(bao)設(she)備(bei)環(huan)保(bao)設(she)備(bei)展示 更(geng)強的(de)工作電(dian)壓和更(geng)低的(de)功效損耗(hao)率。CREE科(ke)(ke)銳(rui)由較早了的(de)GaN材料(liao)LED服(fu)務技藝領先于世界上上,到微(wei)波rf射頻(pin)rf射頻(pin)與(yu)分米波電(dian)子器件服(fu)務,CREE科(ke)(ke)銳(rui)于2017年分離(li)處(chu)理出微(wei)波通信微(wei)波射頻(pin)牌子Wolfspeed,以移(yi)動寬(kuan)帶、大(da)瓦數放小(xiao)器品(pin)牌為(wei)獨具(ju)特色。
長沙市市立維創展(zhan)新材(cai)料技術是CREE的分(fen)銷(xiao)商(shang)(shang)商(shang)(shang),具備CREE微(wei)波射頻電子元(yuan)件優劣(lie)勢供貨(huo)周期推廣方式,并長期的交易量期貨(huo),以防中國有賣場市場需求。
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Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
CG2H30070F-AMP2 | GaN on SiC | 0.5 GHz | 3 GHz | 80 W | 15 dB | 55% | 28 V | Evaluation Board | Flange |
CG2H30070F | GaN on SiC | 0.5 GHz | 3 GHz | 80 W | 15 dB | 55% | 28 V | Packaged Discrete Transistor | Flange |