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?CG2H80120D Ck線GaN HEMT 處理器CREE

公布(bu)的(de)日(ri)子:2022-11-16 16:53:01   ;  查詢:833

Wolfspeed的CG2H80120D是種氮化鎵(GaN)高電子器件移遷率結晶管(HEMT)。與硅或砷化鎵相對于較,GaN享有良好越的穩定性;CG2H80120D涉及較高擊穿電壓場強;較高飽和點電子設備漂移帶寬;和較高熱導率。與Si和GaAs多晶體管不同之處較,CG2H80120D遵循更高的功效導熱系數和更寬的帶寬使用。

基本特征

120W經(jing)典(dian)PSAT

28伏控制

高擊穿電壓場強

溫度過高度操控性

高至8GHz的調節

高率

運用

2路專用無線網電力

網絡帶寬增加器

蜂窩基(ji)礎框架城市基(ji)礎設施投建

測試英文設施

ClassA;AB;關鍵適用OFDM的線形調大器(qi);wifi手機頻分多址;邊界(jie);CDMA波形圖(tu)

CREE(科(ke)銳(rui)(rui))成立公司于1987年,CREE科(ke)銳(rui)(rui)遵(zun)循(xun)305年的(de)(de)(de)寬(kuan)帶網絡(luo)GAP原料(liao)料(liao)和什么是(shi)創新(xin)新(xin)商品(pin),CREE科(ke)銳(rui)(rui)有的(de)(de)(de)是(shi)個齊全(quan)的(de)(de)(de)設定(ding)戰略合(he)作朋友們,完全(quan)符合(he)微(wei)(wei)波射頻的(de)(de)(de)需(xu)要,CREE科(ke)銳(rui)(rui)為行業(ye)內人士方法智領的(de)(de)(de)器機設備展示更(geng)強的(de)(de)(de)效率(lv)和更(geng)低的(de)(de)(de)功(gong)效不足。CREE科(ke)銳(rui)(rui)由最已(yi)經(jing)開始的(de)(de)(de)GaN基面材料(liao)LED車輛設備新(xin)技術當(dang)先全(quan)地球,到微(wei)(wei)波通信rf射頻與mm毫米(mi)波基帶芯(xin)片車輛設備,CREE科(ke)銳(rui)(rui)于2017年分(fen)離法出徽波rf射頻加盟(meng)品(pin)牌Wolfspeed,以光纖寬(kuan)帶、大熱效率(lv)變成器企(qi)業(ye)產品(pin)為特色(se)文化。

西(xi)安市立維創展(zhan)技術是CREE的(de)銷售(shou)商,持(chi)有(you)CREE紅外光元器(qi)件封裝主要優(you)勢采購(gou)校園推廣渠道,并常年倉庫期貨(huo),以防(fang)國內 行業(ye)標(biao)準。

詳細情況學習CREE頻射徽波請點選://www.gyzhkj.com/brand/35.html

CG2H80120D.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CG2H80120D-GP4

GaN on SiC

DC

8 GHz

120 W

>12 dB

65%

28 V

Discrete Bare Die

Die


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