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C光波氮化鎵 HEMT變成器CGHV1F025 CREE

披露期限:2022-08-17 16:53:17     瀏覽(lan)訪問:956

Wolfspeed的CGHV1F025S是前所未有的;氮化鎵(GaN);高電子遷移率晶體管(HEMTs)設計的高效率;高增益和寬頻帶性能。CGHV1F025適合于L、S、C、X和KU波(bo)段(duan)放大器技術應用。數據規格基于x波(bo)段(duan)(8.9-9.6GHz)放大器。

CGHV1F025S管理(li)在(zai)40伏鐵路FBA貨物道(dao)岔上,封口(kou)在(zai)3mmx4mm;接觸(chu)面按照;雙扁型(xing)無電纜(DFN)芯片封裝。限制(zhi)了(le)效(xiao)率;CGHV1F025會從40V至20VVDD電阻值下(xia)電腦(nao)運行;保(bao)持穩(wen)定高(gao)增益值和高(gao)率。

本質特征

高達模型15GHz的控制(zhi)電(dian)腦

25W先進典型(xing)模(mo)擬輸出瓦數(shu)

9.4GHz時11dB增(zeng)益值(zhi)值(zhi)

8.9–9.6GHz的方法應(ying)用領域電線(xian)

技術應用

L;S;C;X 和Ku中波段放小器

CREE(科(ke)(ke)銳(rui))籌建于(yu)(yu)1987年,CREE科(ke)(ke)銳(rui)滿足(zu)(zu)30多(duo)年以(yi)來的(de)聯通(tong)寬帶GAP原(yuan)的(de)材料(liao)料(liao)和去創新商品,CREE科(ke)(ke)銳(rui)就是個完整的(de)的(de)結構設(she)(she)(she)計(ji)合作方式好伙伴,滿足(zu)(zu)頻(pin)(pin)射的(de)意愿,CREE科(ke)(ke)銳(rui)為行業界水平優勢的(de)機械設(she)(she)(she)施設(she)(she)(she)備(bei)具備(bei)更強的(de)最(zui)大(da)功率和更低的(de)功能表不足(zu)(zu)。CREE科(ke)(ke)銳(rui)由最(zui)已(yi)經的(de)GaN材料(liao)的(de)特性(xing)LED設(she)(she)(she)備(bei)科(ke)(ke)技技術(shu)型全(quan)宇(yu)宙,到(dao)微波(bo)通(tong)信頻(pin)(pin)射與(yu)公厘波(bo)集成塊設(she)(she)(she)備(bei),CREE科(ke)(ke)銳(rui)于(yu)(yu)2017年區分出微波(bo)通(tong)信rf射頻(pin)(pin)品牌標志Wolfspeed,以(yi)寬帶網、大(da)輸出擴大(da)器產品的(de)為特性(xing)。

西(xi)安(an)市立維創展(zhan)科技欧美亚(ya)洲一(yi)区(qu)-欧美激情一(yi)区(qu)-欧洲一(yi)区(qu)二区(qu)-欧美激情一(yi)区(qu)二区(qu)是CREE的銷售商,收獲CREE微(wei)波(bo)通信電(dian)子(zi)元件好(hao)處供應(ying)流通渠道,并常年存量(liang)現貨黃金,以防國家(jia)市場的市場需求。

詳情頁清楚CREErf射頻微波通信請打開網頁://www.gyzhkj.com/brand/35.html

 CREE.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CGHV1F025S-AMP1

GaN on SiC

8.9 GHz

9.6 GHz

25 W

11 dB

51%

40 V

Evaluation Board

Surface Mount

CGHV1F025S

GaN on SiC

DC

15 GHz

25 W

11 dB

51%

40 V

Packaged Discrete Transistor

Surface Mount

 


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