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C頻譜氮化鎵 HEMT CG2H80015D CREE

發布(bu)新聞時候(hou):2022-08-10 17:04:39     閱(yue)覽(lan):976

Wolfspeed的CG2H80015D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。GaN與硅或砷化鎵相比較具備優異的性能參數;包含更高的擊穿場強;更高的飽和電子偏移速度;和更高的導熱系數。與Si和GaAs晶體管相比較,GaN HEMT提供(gong)更高的功率(lv)因素和更寬(kuan)的帶寬(kuan)。

的特征

15W典型案例PSAT

28伏(fu)把控

高擊穿電壓場強

炎熱控制電腦

高達模型8GHz的調節

熱有效率

運用

2路個頭錄(lu)音(yin)機

帶寬調小器

蜂窩根基施工

檢查環保設備

ClassA;AB;常見(jian)用到OFDM的曲線調小器(qi);W-CDMA;邊(bian)沿;CDMA波(bo)型

CREE(科(ke)(ke)(ke)(ke)銳(rui)(rui)(rui))申請(qing)加入于1987年(nian),CREE科(ke)(ke)(ke)(ke)銳(rui)(rui)(rui)應具30多年(nian)的(de)(de)(de)(de)的(de)(de)(de)(de)寬帶(dai)網絡GAP原(yuan)村料(liao)料(liao)和去產品(pin)(pin)與服務開發設備(bei),CREE科(ke)(ke)(ke)(ke)銳(rui)(rui)(rui)有的(de)(de)(de)(de)是個完好的(de)(de)(de)(de)設計制作(zuo)達成合(he)作(zuo)粉(fen)絲,遵循(xun)rf射頻的(de)(de)(de)(de)的(de)(de)(de)(de)需求,CREE科(ke)(ke)(ke)(ke)銳(rui)(rui)(rui)為行在業內科(ke)(ke)(ke)(ke)技技術型的(de)(de)(de)(de)機設施設備(bei)設施設備(bei)出示更強的(de)(de)(de)(de)輸(shu)出功(gong)率和更低的(de)(de)(de)(de)功(gong)能鍵材料(liao)耗費(fei)。CREE科(ke)(ke)(ke)(ke)銳(rui)(rui)(rui)由最剛開始(shi)的(de)(de)(de)(de)GaN板材LED成品(pin)(pin)技木當先世(shi)界最級,到微波(bo)(bo)通信微波(bo)(bo)射頻與mm波(bo)(bo)電(dian)源芯片成品(pin)(pin),CREE科(ke)(ke)(ke)(ke)銳(rui)(rui)(rui)于2017年(nian)轉移出徽(hui)波(bo)(bo)頻射茶葉品(pin)(pin)牌Wolfspeed,以(yi)寬帶(dai)網絡、大(da)額定功(gong)率擴大(da)器軟(ruan)件為優勢。

東(dong)莞 市立維創展(zhan)科技公(gong)司是CREE的經銷處(chu)商,享(xiang)用CREE紅外光電(dian)子元器(qi)件好處(chu)供貨(huo)商校園營銷渠道(dao),并(bing)長遠庫存量外盤,僅作中國人茶葉(xie)市場所需。

商品詳情了解到CREE微波加熱射頻微波加熱請彈窗://www.gyzhkj.com/brand/35.html

 CREE.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CG2H80015D-GP4

GaN on SiC

DC

8 GHz

15 W

>12 dB

70%

28 V

Discrete Bare Die

Die


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