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發部時刻:2022-07-20 16:36:43 挑(tiao)選:889
CREE的CGHV1J006D是碳化硅襯底里的高壓氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT);采用0.25-μm柵極尺寸的工藝技術。CGHV1J006D的GaN-on-SiC產品提供(gong)優質(zhi)的高頻率、高(gao)效(xiao)率的特性。CREECGHV1J006D-GP4特別適合(he)在40V和(he)高(gao)擊穿電壓下(xia)作(zuo)業在10MHz至18GHz的各種技術(shu)應用(yong)。
表現
17dB先進典型。10GHz時的(de)小(xiao)數據信號收獲(huo)值
60%經典值。10GHz時的PAE
6W典型性Psat
40伏控(kong)制電腦(nao)
高至18GHz的調節
利用
遙感衛星通訊設備
PTP數據通訊相連
海洋雷達天線
游船統計
渤(bo)海灣(wan)船舶制造交通管(guan)理的服務
聯通寬帶拖動器
高效、性價比最高率擴大器

CREE(科(ke)(ke)銳(rui))申請(qing)加入于(yu)1987年(nian),CREE科(ke)(ke)銳(rui)具有30多年(nian)的(de)(de)(de)(de)的(de)(de)(de)(de)移(yi)動寬(kuan)帶GAP原板材料和(he)轉型升級類產品(pin)(pin),CREE科(ke)(ke)銳(rui)就是個全部(bu)的(de)(de)(de)(de)設計合(he)作共贏朋友(you),符合(he)國家rf射頻(pin)的(de)(de)(de)(de)需求量,CREE科(ke)(ke)銳(rui)為(wei)行在(zai)業內(nei)技木領先于(yu)的(de)(de)(de)(de)工具系統打(da)造更(geng)強的(de)(de)(de)(de)額(e)定功(gong)率(lv)和(he)更(geng)低的(de)(de)(de)(de)性能(neng)耗(hao)用。CREE科(ke)(ke)銳(rui)由(you)最已(yi)經開始的(de)(de)(de)(de)GaN基本的(de)(de)(de)(de)材質材料LED品(pin)(pin)牌(pai)能(neng)力遙遙領先全世紀,到微波(bo)微波(bo)射頻(pin)微波(bo)射頻(pin)與毫(hao)米(mi)左右波(bo)心片品(pin)(pin)牌(pai),CREE科(ke)(ke)銳(rui)于(yu)2017年(nian)破乳出微波(bo)rf射頻(pin)rf射頻(pin)加盟品(pin)(pin)牌(pai)Wolfspeed,以網絡(luo)帶寬(kuan)、大耗(hao)油率(lv)變成器的(de)(de)(de)(de)產品(pin)(pin)為(wei)特點。
山東市立維創(chuang)展科技欧美亚洲(zhou)一(yi)区(qu)(qu)-欧美激情(qing)一(yi)区(qu)(qu)-欧洲(zhou)一(yi)区(qu)(qu)二区(qu)(qu)-欧美激情(qing)一(yi)区(qu)(qu)二区(qu)(qu)是CREE的廠(chang)家商(shang),占有CREE微波通信元(yuan)器件好處供(gong)貨(huo)業務業務,并經(jing)常性銷(xiao)量現貨(huo)平臺,以防在我國市場上消費需求。
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Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
CGHV1J006D-GP4 | GaN on SiC | DC | 18 GHz | 6 W | 17 dB | 60% | 40 V | Discrete Bare Die | Die |