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CREE的CMPA0060002是種根據氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比較具備優質的性能指標；包括更高電壓擊穿；更高飽和電子漂移速率和更高導熱系數。與Si和GaAs晶體管相比較，GaN HEMT還保(bao)證更高功率密度和更寬的帶寬。C波(bo)段GaN MMIC功(gong)率(lv)放大器CMPA0060002CREE選用分布式（行波）放大器設計方法；能夠(gou)在極小的空(kong)間內完成極寬的帶寬。保證裸片和具有(you)銅(tong)鎢熱管散熱器的旋入式封裝形式。

CREE的Ck線(xian)GaN MMIC工作(zuo)效率調大器CMPA0060002享有2-W;20-MHz-6000-MHz；GaN MMIC效率拖(tuo)動器(qi)。

特性

17dB小移動信號收獲(huo)值

3W典(dian)型(xing)PSAT

額定電流(liu)電壓萬代(dai)高達28V

高電阻值穿透

較高溫度度控制

適用

寬度帶調小器

網站光釬驅動安裝器

自測機

EMC圖像(xiang)功率放(fang)大(da)器(qi)變頻器(qi)器(qi)

CREE（科(ke)銳(rui)）成為(wei)(wei)于(yu)(yu)1987年(nian)(nian)，CREE科(ke)銳(rui)遵循30多年(nian)(nian)的(de)(de)的(de)(de)移動寬帶(dai)GAP原文件(jian)料(liao)(liao)和創新發展廠品(pin)，CREE科(ke)銳(rui)也是(shi)個詳盡的(de)(de)來設計達成合(he)作伴侶，契(qi)合(he)頻射的(de)(de)消費需求，CREE科(ke)銳(rui)為(wei)(wei)行在業(ye)內技能(neng)技術(shu)領先的(de)(de)機械(xie)生(sheng)產設備生(sheng)產設備可(ke)以提供更強的(de)(de)工作電(dian)壓和更低的(de)(de)能(neng)力自然損(sun)耗。CREE科(ke)銳(rui)由最起的(de)(de)GaN材料(liao)(liao)LED品(pin)牌的(de)(de)工藝更優全世間，到微波通信rf射頻與厘米波電(dian)源芯片品(pin)牌的(de)(de)，CREE科(ke)銳(rui)于(yu)(yu)2017年(nian)(nian)剝離 出紅(hong)外(wai)光頻射的(de)(de)品(pin)牌Wolfspeed，以寬帶(dai)網、大輸出功率擴大器貨品(pin)為(wei)(wei)杭(hang)州(zhou)特色。

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