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發布消息(xi)用(yong)時:2022-06-15 16:38:22 閱覽:1385
氮化鎵(GaN)最大功率半導體器件新技術前沿技術為增加微波射頻/微波加熱效率變成器性能方面制作出了強大貢獻獎。再生利用減掉元元件的附生元件,適用更短的柵極尺寸規格和極高的電壓降頻率,GaN氯化鈉晶體管擁有了更好的讀取公率、更寬的速率和迅速的交流電供電頻射速度。
時間推移以GaN在材質為主要的(de)再者代半導體(ti)材料元(yuan)器的(de)創建(jian),GaN HEMT會因為其寬頻段隙而受人點贊,高對流換熱系數性、高熱擊穿場強和高峰峰值電子器材轉到數率。針對GaN材質的寬帶功率放大器普遍使用于無線通信網絡、無線網絡、電子對抗、雷達系統等行業領域。
武漢市立維創展科技創新是Teledyne防(fang)務(wu)(wu)網上的生(sheng)產商商,給出Teledyne防(fang)務(wu)(wu)微電子(zi)成品適用于LDMOS、GaN、GaAs和InP。Teledyne防(fang)務(wu)(wu)電子(zi)元器件類產品系列支撐寬(kuan)頻率段、窄帶、脈沖造成的增加器,頻率1MHz~220GHz,馬力(li)mW~10kW,特色產品線(xian)可以提供Teledyne防(fang)務(wu)(wu)電子(zi)技術購(gou)貨(huo),歡迎會顧問。
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Model | Frequency Range MHz | Gain dB Typ. | Noise Figure dB Typ. | P1dB dBm Typ. | P4dB dBm Typ. | P4dB Watts Typ. | IP3/IP2/Pout dBm Typ. | Preamp D.C. Volts Nom | Preamp D.C. mA Max. | D.C. Volt Nom | Amps Q/@P3dB Typ. |
GaN MEDIUM POWER BROADBAND AMPLIFIERS | |||||||||||
AVP598 | 50-700 | 16.5 | 2.5 | 38 | 43.2 | 20.9 | 50/64/40 | N/A | N/A | 28 | 0.85/1.5 |
AVP514 | 50-700 | 40 | 3.7* | 38 | 43.2 | 20.9 | 50/62/40 | 12 | 230 | 28 | 1.2/2.3 |
AVP2515 | 600-2600 | 17 | 4.5 | 35 | 41 | 12.6 | 48/50/37 | N/A | N/A | 28 | 0.85/1.50 |
AVP2524 | 600-2600 | 41 | 4.5 | 35 | 41 | 12.6 | 47/48/37 | 12 | 185 | 28 | 1.25/1.9 |
AVP2030 | 500-2400 | 16 | 3.7 | 39 | 44 | 25.1 | 53/65/40 | N/A | N/A | 28 | 0.85/2.6 |
AVP2034 | 500-2400 | 40 | 3.7 | 39 | 44 | 25.1 | 52/62/40 | 12 | 200 | 28 | 1.2/3.2 |
AVP2050 | 900-2000 | 14 | 4 | 42 | 48 | 63.1 | 55/68/43 | N/A | N/A | 28 | 1.6/5.50 |
GaN PREAMP DRIVER AMPLIFIERS | |||||||||||
A2CP2595 | 20-500 | 24 | 3 | 34 | 36.2 | 4.2 | 45/58/27 | 12 | 185 | 28 | 0.39/0.47 |
500-2500 | 24 | 3 | 32.5 | 34 | 2.5 | 40/56/27 | 12 | 185 | 28 | 0.39/0.47 | |
A2CP2596 | 20-500 | 24 | 4.8 | 36.5 | 37.5 | 5.6 | 8/52/23 | 15 | 335 | 28 | 0.53/0.70 |
500-2500 | 24 | 4.3 | 34.5 | 37.5 | 5.6 | 42/48/23 | 15 | 335 | 28 | 0.53/0.70 | |