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公布的時候:2022-03-01 17:02:12 網頁(ye)瀏(liu)覽(lan):1392
氮化鎵具備優質的耐高溫性,因此氮化鎵制成的電力電子產品幾乎不需要制冷。晶體管主要是由硅制作而成,應用在高壓線路中計算和提高電子器件射頻信號。
GaN公率(lv)(lv)晶(jing)狀體(ti)管(guan)普通(tong)是L和S股(gu)票波段雷達(da)探(tan)測控制系統膝(xi)蓋處的(de)(de)性(xing)和收縮電機功率(lv)(lv)擴大器的(de)(de)有源元器件封裝(zhuang)。GaN工(gong)(gong)(gong)作(zuo)效率(lv)(lv)氯化鈉晶(jing)體(ti)管(guan)根據其低養分(fen)耗損和高工(gong)(gong)(gong)作(zuo)效率(lv)(lv)強度,在(zai)電量的(de)(de)實用(yong)微(wei)光電子行(xing)業的(de)(de)的(de)(de)領(ling)域(yu)的(de)(de)用(yong)愈來愈越大多(duo)數。它(ta)可用(yong)在(zai)航空運輸(shu)微(wei)光電子、商(shang)業性(xing)服務性(xing)、工(gong)(gong)(gong)業的(de)(de)生產(chan)、醫療機構(gou)設施和飲水機美國軍事行(xing)業的(de)(de)的(de)(de)領(ling)域(yu)的(de)(de)火車線路和系統化中的(de)(de)一(yi)些(xie)用(yong)行(xing)業的(de)(de)的(de)(de)領(ling)域(yu)。他們都實用(yong)帶寬隙GaN半導板(ban)材的(de)(de)功能,在(zai)小(xiao)裝(zhuang)封中構(gou)成了配備(bei)高工(gong)(gong)(gong)率(lv)(lv)高密度和高打出工(gong)(gong)(gong)率(lv)(lv)電平的(de)(de)RF/微(wei)波射頻(pin)多(duo)晶(jing)體(ti)管(guan)。
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Reference | Glin | Operating Frequency | Saturated Power | PAE | Bias | Bias | Case |
CHKA011aSXA | 23.5 @ 0.44 | Up to 1.5 | 130 | 75 @ 0.44 | 640 | 50 | Ceramic Metal Flange |
CHK8013-99F | 17 @ 6 | Up to 10 | 14 | 70 @ 6 | 180 | 30 | Die |
CHK9014-99F | 13 @ 12 | Up to 13 | 60 | 50 @ 12 | 700 | 30 | Die |
CHK8015-99F | 17 @ 9 | Up to 18 | 20 | 68 @ 9 | 200 | 30 | Die |
CHKA012a99F | 20 @ 3 | Up to 4 | 140 | 76 @ 3 | 0.65 | 50 | Die |
CHK015AaQIA | 18 @ 3 | Up to 4 | 20 | 55 @ 3 | 800 | 50 | QFN Plastic package |
CHK8101a99F | 14 @ 6 | Up to 6 | 20 | 60 @ 6 | 0.1 | 50 | Die |
CHK9013-99F | 18 @ 6 | Up to 8 | 88 | 65@6 | 1100 | 30 | Die |