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AMCOM頻射結晶體管GaAs FET

發布的時:2020-09-15 15:12:31     閱讀:1852

AMCOM砷化鎵場作用單晶體管(GaAs FET)是種幫忙在高頻率、較高頻率和微波通信rf射頻增加線路的場邊際效應結晶管。AMCOM微波射頻結晶管GaAs FET的頻率范圍跨(kua)越(yue)電磁輻射譜,從30 MHz到紅外(wai)波段。AMCOM微波射頻納米線管GaAs FET以其(qi)靈(ling)敏(min)度而(er)(er)聞名,而(er)(er)GaAs FET產生的內部噪(zao)聲(sheng)很小(xiao)。這主要是由于GaAs具有很強的載流(liu)子遷移率。電(dian)子可以輕易、快速地穿(chuan)過半導體材(cai)料。AMCOM微波射頻單晶體管GaAs FET是一種種失去電子元器件,這意思著當管控參比電極是沒有直流直流電壓時,它會導電,當柵極有直流直流電壓時,溝道電阻率會降低。

在弱信息無線數字(zi)通信技術和廣播網收的方面,AMCOMRF多晶體管GaAs FET的功(gong)效相對比較大(da)都(dou)數任何形式的場(chang)因素結晶體(ti)管。這些形式的GaAs FET也中(zhong)用rf射頻馬(ma)力調大器。GaAs FET也在(zai)宇(yu)宙飛船網絡通訊、射(she)電天文學和無線wifi電興趣者所(suo)做的科學試驗。

AMCOM微波(bo)射頻多晶體管GaAs FET具好的(de)(de)的(de)(de)線形度(du)。

北(bei)京市立維創展(zhan)科技(ji)發展(zhan)AMCOM銷售商,技術專業出示AMCOM產(chan)品(pin)類別收錄:頻射硫(liu)化(hua)鋅(xin)管、MMIC瓦數變小器、分層變小器信息模(mo)快(kuai)、光(guang)纖寬(kuan)帶(dai)變小器、高瓦數變小器信息模(mo)快(kuai)、帶(dai)RFDC連入器(qi)(qi)的高工作效率(lv)變大器(qi)(qi)組件和低(di)燥聲變大器(qi)(qi),工作效率(lv)變大器(qi)(qi),打開,衰(shuai)減(jian)器(qi)(qi),移相器(qi)(qi)及上(shang)/下面三菱變頻(pin)器(qi)器(qi)的定制網(wang)站等,類產品(pin)原(yuan)版進口量,性(xing)能切實保障(zhang),受(shou)歡迎詳詢(xun)。

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 AMCOM.png

建模

頻(pin)率(lv)(GHz)

最大頻率(GHz)

增益(dB)

P1聲(sheng)音分貝(bei)(dBm)

IP3(dBm)

偏差(V)

AM010MH4-BI-R

整流電

3

19

31

46

-28

AM030MH4-BI-R

交流電電

3

19

36

49

-28

AM006MX-QG-R

整流電

6

13

22

34

-5

AM012MX-QG-R

電流電

6

13.5

25

37

-5

AM024MX-QG-R

直流電壓電

6

13

28

39

-5

AM036MX-QG-R

直流變壓器電

6

12

29.5

42

-5

AM048MX-QG-R

直流電壓電

6

11

31

43

-5

AM072MX-CU-R

直流變壓器電

6

11

34

46

-7

AM100MX-CU-R

直流變壓器電

6

10

35

48

-7

AM150MX-CU-R

直流電源電

6

10

36.5

50

-7

AM200MX-CU-R

直流變壓器電

6

10

38

48

-7

AM300MX-CU-R

整流電

6

9

39.5

51

-7

AM005MH2-BI-R

電流電

6

15

25

40

-14

AM010MH2-BI-R

直流電源電

6

15

28

43

-14

AM032MH4-BI-R

直流電源電

6

19

36

49

-28


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