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JP503AS是(shi)一(yi)個(ge)低(di)剖面，高性能的(de)(de)(de)3dB混(hun)合耦合器在一(yi)個(ge)易于使(shi)用，制造(zao)友好的(de)(de)(de)表面安裝包(bao)。它是(shi)為W-CDMA和(he)其他(ta)3G應用而設計(ji)的(de)(de)(de)。JP503AS是(shi)為平衡放大(da)器、可變移相器和(he)衰減(jian)器、低(di)噪聲放大(da)器、信號(hao)分(fen)配而設計(ji)的(de)(de)(de)，是(shi)無線工業日益增長的(de)(de)(de)小型(xing)印(yin)刷電路板和(he)高性能需(xu)求的(de)(de)(de)理想解決方案。零件經過嚴格的(de)(de)(de)鑒定測(ce)試，并使(shi)用熱膨脹(zhang)系(xi)數（CTE）與常見基板（如FR4、G-10、RF-35、RO4003和(he)聚酰亞胺）兼容的(de)(de)(de)材(cai)料(liao)制造(zao)。采用6/6符(fu)合RoHS標準的(de)(de)(de)浸錫處理。

JP503AS特點：

2.0–2.3千兆赫。

3G聲音頻(pin)率

低自然損耗

高隔離度

90°正交

外面貼裝

磁帶(dai)和(he)卷盤

無鉛

100%試驗

JP503AS注重指(zhi)標

速率（GHZ）：2.0 - 2.3

工率(lv)（W）：25

回(hui)波損耗率(lv)（dB）：20.8

插入圖耗損率（dB）：0.30

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