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Wolfspeed的(de)(de)CGHV96050F2是(shi)(shi)氧化(hua)(hua)硅(gui)（SiC）基材上的(de)(de)氮化(hua)(hua)鎵（GaN）高電(dian)子元器件轉至(zhi)率多晶(jing)體管(guan)（HEMT）。與(yu)(yu)一些(xie)(xie)(xie)工藝比(bi)起來，這一GaN室內(nei)適配（IM）FET更具漂亮(liang)的(de)(de)輸出扣除轉化(hua)(hua)率。與(yu)(yu)硅(gui)或砷化(hua)(hua)鎵好于，GaN具成績突出的(de)(de)耐熱(re)(re)性(xing)，是(shi)(shi)指高些(xie)(xie)(xie)的(de)(de)損壞(huai)電(dian)流電(dian)壓，高些(xie)(xie)(xie)的(de)(de)過飽和(he)光(guang)電(dian)漂移速率和(he)高些(xie)(xie)(xie)的(de)(de)熱(re)(re)傳導(dao)率。與(yu)(yu)GaAs納米線管(guan)相比(bi)之下，GaN HEMT還作為不大的(de)(de)瓦數體積密度和(he)更寬(kuan)的(de)(de)資(zi)源帶寬(kuan)。該IM FET所采(cai)用重金屬/瓷磚法(fa)蘭盤二(er)極管(guan)封裝，極具最宜的(de)(de)電(dian)力工程(cheng)和(he)熱(re)(re)性(xing)食物(wu)能。

特征

• 80 W POUT典型示范值

示意圖