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披露日期(qi):2019-01-23 15:05:08 打開網頁(ye):2271
CGHV1F025S是一款無與倫比的氮化鎵(GaN)高電子遷(qian)移率晶(jing)體(ti)管(guan)(HEMT),專為高效率,高增(zeng)益(yi)和(he)(he)寬帶寬功能而設計。該器件可用于(yu)L,S,C,X和(he)(he)Ku波段放大器應(ying)用。數據手冊規格基于(yu)X-Band(8.9 - 9.6-GHz)放大器。CGHV1F025S采(cai)用40伏軌道電路,采(cai)用3 mm x 4 mm表面貼裝雙扁平(ping)無引(yin)線(DFN)封裝。在功耗(hao)降低(di)的情況(kuang)下,晶(jing)體(ti)管(guan)可以在低(di)于(yu)40V的電壓下工作至低(di)至20V的VDD,從而保持高增(zeng)益(yi)和(he)(he)高效率。
CGHV1F025S性能指標| 峰值輸出功率 | 25W | |
|---|---|---|
| 應用 | 通用寬帶,40 V | |
| 典型功率(PSAT) | 25瓦 | |
| 工作電壓 | 40 V | |
| 頻率 | DC - 15.0 GHz | |
| 包裝類型 | 表面貼裝 | |
| 獲得 | 11 dB @ 9.4 GHz | |
