欧美亚洲一区-欧美激情一区-欧洲一区二区-欧美激情一区二区

論文摘要-GaN元電子元器件擁有與GaAs元電子元器件相對的燥音比率，此外并能忍受至關高的進入伺服控制器器。我們介紹書了2～4GHz(S光波)Pout～37dBm的GaN低燥音增加器(LNA)、1．8～3．5dB燥音比率(NF)和48～54dBm輸送借鑒三階截距點(OIP3)的設計構思。進行將柵極外面為2.5mm的輸送級劃分成1.25mm的兩只區域并系統優化其偏置，也可以增強平滑特點。偏置兩只FET的各個影響IMD三分量的相位清理和OIP3特點的增強。研究最后意味著，在AB類柵極偏置和深AB類柵極偏置時，OIP3可增強9.5dBm。平滑度FOM（OIP3/PDC）也能夠 減少，在較高的噘嘴時可達14。氮化鎵（GaN），S光波，LNA，平滑化，OIP3。

一、引言
GaN HEMT技術正在成為雷達、電子對抗和無線通信應用的首選技術。與傳統技術（GaAs、CMOS、SiGe）相比，GaN器件在微波頻率下具有高的輸出阻抗，因此可以提供非常高的輸出功率、高擊穿和較寬的工作帶寬。GaN器件具有與GaAs類似的噪聲系數，并且能夠承受高輸入功率電平。這消除了常規接收機中使用的限幅器電路的需要。同時，LNA線性度在惡劣環境下對微波接收機是一個挑戰[1]-[2]。本文提出了一種具有高OIP3的線性GaN-LNA。基本的方法是將晶體管分成多個較小的并行柵極，并分別對它們進行偏置。通過獨立地改變每個晶體管的偏壓，可以提高線性度。在以前的工作中，將該技術應用于GaN PA，在中等和高輸出功率電平下觀察到了改進[3]。在本文中，我們將此技術應用于GaN LNA，并看到在較低和更高輸出功率電平的改進。據作者所知，這是首次使用該技術改進GaN LNA的線性度。

二。線性化方法
通過在感興趣的頻率附近向放大器輸入施加雙音信號，模擬電路的線性度。為了獲得具有較好OIP3的電路，其思想是通過相位抵消來降低三階互調產物的功率電平。

更多的技術性相關信息請去聯系自己客戶服務中心工作人員！！！