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HMC1144是一個款砷化鎵(GaAs)、假晶高光電移動率(pHEMT)、單融合電線存儲單片機芯片徽波融合電線(MMIC)區域式效率變成器，工作中次數領域為40 GHz至70 GHz。 在40 GHz至50 GHz的中頻段領域內，HMC1144出具了19 dB增加收益值控制（一般值）、28 dBm投入IP3及19.5 dBm投入效率（1 dB增加收益值控制降低）。 在50 GHz至70 GHz的低頻段領域內，HMC1144出具了19 dB增加收益值控制（一般值）、32 dBm投入IP3及21 dBm投入效率（1 dB增加收益值控制降低）。 HMC1144主要包括4 V主機電源供氣，顯卡功耗為320 mA。 HMC1144變成器投入/投入內部的配比50 ?，可利于地融合對立事件融合電線存儲單片機芯片版塊(MCM)。 所有數據表格均由利用極短0.076 mm (3 mil)的兩條線0.025 mm (1 mil)線焊接的融合電線存儲單片機芯片提高。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC1144	35 GHz至70 GHz，GaAs、pHEMT、MMIC、中等功率放大器	現貨	68

HMC1144使用

• 測試儀器儀表
• 微波無線電和甚小孔徑終端(VSAT)
• 軍事與太空
• 電信基礎設施
• 光纖產品

HMC1144結構和特點

• 針對1 dB壓縮(P1dB)的輸出功率： 21 dBm（典型值）
• 飽和輸出功率(PSAT)： 22 dBm（典型值）
• 增益： 19 dB（典型值）
• 輸出三階交調截點(IP3)： 28 dBm（典型值）
• 電源電壓： 4 V (320 mA)
• 50 Ω匹配輸入/輸出
• 裸片尺寸： 2.3 mm × 1.8 mm × 0.102 mm

HMC1144結構圖