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?其三代650 V裸片SiC MOSFET

頒布的時間:2025-01-03 16:57:39  ;   打開網(wang)頁(ye):630

行同行業超完善導通電阻值和轉換開關消耗,就能夠做到最好使用性能和輸出功率硬度性能指標。

Wolfspeed結合再次代650 V SiC MOSFET上升了(le)其無定形(xing)碳硅(SiC)技術性(xing)上的(de)主(zhu)體影響力。在(zai)更全部的(de)供(gong)(gong)電(dian)局(ju)工(gong)程操作(zuo)系統中(zhong)達到體形(xing)更小(xiao)、承重(zhong)更輕(qing)、更強效的(de)供(gong)(gong)電(dian)局(ju)工(gong)程生成。650 V SiC MOSFET是(shi)機(ji)械性(xing)能優(you)秀產業供(gong)(gong)電(dian)、服務項目器/聯(lian)通網電(dian)源線、新(xin)資(zi)源電(dian)動三輪(lun)車(EV)筆記本充電(dian)裝置(zhi)機(ji)械、儲熱機(ji)械、應及電(dian)壓(UPS)和充電(dian)電(dian)池菅理系統軟件等能力的(de)佳取舍。

特色

高低(di)溫學(xue)習環境的低(di)導通阻(zu)值(zhi)

低附生濾波電容

掌握很低選擇性恢(hui)愎的優質二級管(guan)

一直高的溫度反控(kong)(Tj=175°C)

MOSFET.png

優勢可言

完成(cheng)變動(dong)觸點開關(guan)和接入自然損耗增加環(huan)保設備能力

完成高(gao)按鈕開關頻帶寬度遠程(cheng)操作

改善整體級工(gong)率導熱系數(shu)技(ji)術指(zhi)標(biao)

降低裝置技術參數;承重;和(he)待冷卻(que)符合要求(qiu)

其最典型的應用

企業供電

服(fu)務質(zhi)量器(qi)/聯通手(shou)機(ji)網絡(luo)手(shou)機(ji)網絡(luo)

新(xin)清潔能源快充樁裝置設備

儲熱機器(qi)(ESS)

緊急救援主機電源(UPS)

手機電池標準化管(guan)理模式(BMS)

CREE科銳(rui)于(yu)2017年拆(chai)分出(chu)徽波微波射頻該品牌Wolfspeed,以寬帶網(wang)、大工作電壓(ya)變(bian)成器貨品為特(te)色文化。

佛山市立維創展科技發展是CREE的(de)生產(chan)商商,具備CREE微波射頻電(dian)子器(qi)件特(te)點供貨(huo)期渠(qu)道(dao)方式,信(xin)貸衡(heng)量(liang)原裝進(jin)口產(chan)品。

*個部分機型需使(shi)用美(mei)國的用于出口(kou)許可證。寶(bao)貝(bei)詳情認知越多型號規格,受歡迎資訊立維創展!


Product SKU

Blocking Voltage

RDS(ON) at 25°C

Current Rating

Gate Charge Total

Output Capacitance

Reverse Recovery Charge (Qrr)

Reverse Recovery Time (Trr)

Tjmax

Generation

CPM3-0650-0015A

650 V

15 mΩ

120 A

190 nC

290 pF

510 nC

22 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0045A

650 V

45 mΩ

49 A

63 nC

100 pF

247 nC

13 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0060A

650 V

60 mΩ

37 A

46 nC

80 pF

151 nC

11 ns

175 °C

Gen 3


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