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CREE的1700 V氫氟酸處理硅（SiC）MOSFET可以體現相對于較小、便捷率的電率轉為設備。與硅基處里方式方法相對較，CREE氧化硅體系能增加體系電機功率高密度、較高的工作的頻率、較小的架構裝修設計、更冷門的的功能電源模塊、較小的功能電源模塊年紀（電調節器、電容（電罐體）器、濾波器和箱式變壓器）和綜合利潤的效率。

的特征

12-15V柵極驅動安裝交流(liu)電壓

應(ying)于反激式app時的0V關上直流電壓

低電容（電容器）線速度(du)度(du)觸點開關

漏極和(he)源極期(qi)間(jian)(jian)的寬熱擊(ji)穿電(dian)流電(dian)壓和(he)空間(jian)(jian)

優勢可言

較(jiao)高的系統(tong)軟(ruan)件能(neng)力(li)和(he)工作(zuo)電(dian)壓硬(ying)度

供給(gei)若干個12-48V生產設備，下降(jiang)冷(leng)庫安裝小(xiao)編訴求(qiu)

較高的本職工作幀率

非常典型軟件應用

電源線轉為

旋轉開關電壓

主機電源逆變電源

不同(tong)1500V的(de)體系

低壓DC/DC轉化器

三相異步電機操作器

電磁耗油率使用

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