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CMPA0060002D有的是種可能含有氮化鎵（GaN）高電子遷址率多晶體管（HEMT）的單面紅外光融合電源線路（MMIC）。與硅或砷化鎵相信較，GaN具備有進一步出色的效果，分為高些的損壞場強、高些的供大于求電子器材漂移的快與慢高些的傳熱比率。與Si和GaAs尖晶石管優于較，GaN HEMT還出示高的效率相對密度和更寬的傳輸速率。CMPA0060002D實用布置式（導波）變大器規劃指導思想，就能在更小的使用率綠地面積內做到極寬的上行寬帶。

本質特征

?17 dB小訊號增加收益(yi)值

?2 W舉例PSAT

?額(e)定的(de)輸出(chu)功率自(zi)由高達28V

?高擊穿電壓場強

?較高溫度度應用

?外形(xing)尺寸0.169 x 0.066 x 0.004厘(li)米

應該用

?超高帶放小器

?金屬線驅程器

?測試機

?EMC拖動器(qi)驅(qu)動包器(qi)

成都 市立維(wei)創(chuang)展技術比較有限工廠(chang)授權證書經銷處CREE微波(bo)射頻電(dian)子(zi)器件，倘若必須要(yao)購CREE食品，請鼠標(biao)點(dian)擊右則(ze)微信客服電(dian)話聯系(xi)他們！！！