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GTRB246608FC-V1是CREE的(de)有(you)款500瓦（P4dB）的(de)SiC上(shang)GaN高電子元器件滲透(tou)率結晶(jing)體管（HEMT），傾力于多規則蜂窩狀瓦數放縮器應運需要(yao)量設計的(de)。GTRB246608FC-V1符合高有(you)效率的(de)率和無軸環的(de)熱明顯增強封(feng)口。

產品設備規格

表(biao)述：高功效RF GaN SiC HEMT 500 W，48 V，2300-2400 MHz

最高的(de)人頻次（MHz）：2400

增益控制（dB）：15.7

二(er)極管封(feng)裝專(zhuan)業類(lei)別：Earless

特點

基本特(te)征智能(neng)CW耐熱性，2400 MHz，48 V，10μs脈沖(chong)造成的速度(du)，10%占空比(bi)，搭配組(zu)合(he)讀取(qu)

P4dB=600 W時(shi)的導(dao)出公率

P4dB=60%時的效(xiao)應

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