領域咨訊
頒布期限:2024-11-18 17:03:20 查詢:754
CGHV60170D是氮化鎵(GaN)高智能電子轉化率單晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵比起較,GaN擁有市場大的的能;一般包括較高的擊穿電壓場強;飽和狀態網絡偏離的速度較高;非常較高的制熱性。與Si和GaAs單晶體管差距較,CGHV60170D可以提供較高的耗油率高密度和更寬的頻率段:寬度。

新產品樣式
詳(xiang)述:170瓦;6.0 GHz;50VGaN HEMT處理芯(xin)片
最(zui)便(bian)宜聲音(yin)頻率(MHz):0
是最高(gao)的(de)次數(MHz):6000
增益控制值(dB):17
封裝形式分類:Die
基本特征
65%主(zhu)要表(biao)現公率(lv)疊(die)加熱效率(lv)
170 W非常典(dian)型PSAT
50V操控性
高擊穿電壓場強
規律比(bi)率高至(zhi)6 GHz
成都 市(shi)立(li)維創(chuang)展網絡品牌(pai)授(shou)權(quan)代理費(fei)(fei)MACOM產(chan)品的線,包括生(sheng)產(chan)商MACOM的可(ke)調(diao)(diao)增(zeng)益(yi)控制調(diao)(diao)小(xiao)(xiao)(xiao)(xiao)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi),工(gong)作功率(lv)調(diao)(diao)小(xiao)(xiao)(xiao)(xiao)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi),低嗓聲調(diao)(diao)小(xiao)(xiao)(xiao)(xiao)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi),波形調(diao)(diao)小(xiao)(xiao)(xiao)(xiao)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi),混(hun)(hun)(hun)和(he)調(diao)(diao)小(xiao)(xiao)(xiao)(xiao)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi),FTTx變小(xiao)(xiao)(xiao)(xiao)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi),勻稱式(shi)變小(xiao)(xiao)(xiao)(xiao)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi),變小(xiao)(xiao)(xiao)(xiao)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)增(zeng)加收益(yi)傳感器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi),有源區分(fen)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi),功分(fen)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi),倍頻器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi),相(xiang)溶式(shi)混(hun)(hun)(hun)頻器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi),混(hun)(hun)(hun)頻器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi),上變頻電機器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi),數(shu)值6衰(shuai)減器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi),數(shu)值6移相(xiang)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi),工(gong)作效率(lv)檢則器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi),壓(ya)控衰(shuai)減器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)等(deng)好幾(ji)種半導體(ti)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)件(jian)。如(ru)需(xu)消費(fei)(fei)MACOM的產(chan)品,請選擇左側售后客(ke)服了解(jie)!!!