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GTRA184602FC是款460瓦（P3dB）GaN-on-SiC HEMT D基本模式放小器，專業專注于多原則蜂窩狀輸出功率放小器技木軟件應用的需求來設計。其應具輸進搭配、提高速率率和無軸環熱開展裝封的性能特點。

產品的要求

闡明：高輸出RF GaN SiC HEMT，460 W，48 V，1805-1880 MHz

比較高概(gai)率（MHz）：1880

增益控制(zhi)值（dB）：15.5

裝封行業類型：Earless

表現

投入篩選

變了稱(cheng)多爾蒂(di)設計制作

主：P3dB=170 W標稱值

更(geng)高值：P3dB=350W標稱(cheng)值

明顯激光脈沖CW性能方面：16μs輸(shu)入(ru)脈沖頻段；10%占空比(bi)；2140MHz；48v；多(duo)爾蒂卡具(ju)

增加收益值(zhi)=15dB@49dBm

吸收率=60%@49 dBm

P3dB=490W時的輸出電壓工(gong)作電壓

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