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WS1A2639-V1-R3K是CREE的這款非中心對稱多赫蒂效率縮放器控制模塊（PAM），將GaN on SiC技術工藝軟件和如今的化的一致和偏置電壓值網站結合在必備舒適散熱性能操作系統的四層層壓基本材料上。WS1A2639-V1-R3K聲音頻率規模在2496 MHz至2690 MHz。還有就是選擇最底50V的電源適配器電阻值；平均打印輸出額定功率原則為6至8 W，最好值因素的降低，數字1預失實在LTE和5G NR數據庫數據信息，瞬時下行帶寬高至200 MHz。WS1A2639-V1-R3K被封號裝在6mm X 6mm的焊層柵格陣列（LGA）裝封中。

廠品要求

闡(chan)明：38.5dBmGaN on SiC效率變大(da)器(qi)模快；2496-2690MHz

較低平率（MHz）：2496

最高(gao)的(de)人速度（MHz）：2690

P3dB導出額定(ding)功率(lv)（W）：50

增加收益值（dB）：16.5

率（%）：57

電機額定功率電阻值（V）：48

封(feng)裝(zhuang)類型類：外表貼裝(zhuang)

芯(xin)片(pian)芯(xin)片(pian)封(feng)裝：芯(xin)片(pian)芯(xin)片(pian)封(feng)裝分(fen)立結晶體(ti)管

技術工藝采用(yong)：SiC上的GaN

優點

GaN基SiC的技術運用(yong)

從功(gong)率(lv)器(qi)件更(geng)替主(zhu)要導和最(zui)底值子縮放器(qi)應具柵極偏置(zhi)電壓降主(zhu)機電源

集成型化諧波網絡終端(duan)

無鉛(qian)并充分考慮(lv)RoHS標淮(huai)

選擇的驅動(dong)下載裝有(you)是WSGPA01

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