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GTRB226002FC-V1是(shi)CREE是(shi)款450瓦(wa)（P3dB）的SiC上GaN高(gao)電(dian)子元器件變遷率(lv)(lv)(lv)氯(lv)化鈉晶體(ti)管（HEMT），軟件在多規范蜂(feng)窩狀電(dian)率(lv)(lv)(lv)變成(cheng)器科(ke)技軟件。GTRB226002FC-V1擁(yong)有高(gao)效率(lv)(lv)(lv)化和無(wu)軸環的熱增(zeng)強學習(xi)封裝結(jie)構類型。

軟件標準

舉例(li)說明(ming)：SiC HEMT上的高電功率RF GaN 450 W，48 V，2110-2200 MHz

保底頻點（MHz）：2110

非常(chang)高頻帶(dai)寬度（MHz）：2200

P3dB傳輸瓦數（W）：450

增(zeng)益值值（dB）：15

利用率（%）：60

特性

其最典型(xing)的的電磁CW耐磨性(xing)：10μs電磁高度，10%pwm占(zhan)空比(bi)，2200 MHz，48 V，Doherty卡(ka)具生產率=65%

收獲值=14dB

P3dB=450W時的傷害電功率

女模(mo)特模(mo)式化(hua)1B級(ji)（按照其ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

低傳熱系數

無鉛并滿意RoHS規范

GaN基SiC HEMT高技術(shu)

鄭(zheng)州市立維創展(zhan)科技(ji)產業不足工(gong)廠(chang)品牌(pai)授權經(jing)銷處CREE微波(bo)射(she)頻電子器(qi)件，倘若還要(yao)購(gou)CREE新(xin)產品，請彈窗右邊網上客(ke)服(fu)練(lian)習.我！！！