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GTRB204402FC/1是CREE的一類350瓦（P3dB）的SiC上GaN高電子器件知識率多晶體管（HEMT），強院于多基準蜂窩狀工作電壓擴大器技術水平APP需要量來設計。GTRB204402FC具備條件有能力和無軸環的熱怎強裝封。

軟件樣式

闡明：SiC HEMT上的高工作電壓RF GaN 350 W，48 V，1930-2020 MHz

最小速(su)度（MHz）：1930

最(zui)多平率(lv)（MHz）：2020

P3dB讀取額定功率（W）：350

增益控(kong)制值(zhi)（dB）：16.3

科學規范率（%）：58

功(gong)率(lv)電壓電流（V）：48

裝封分類(lei)：Earless

裝封(feng)(feng)：裝封(feng)(feng)分(fen)立結晶管

的(de)技術：SiC上的(de)GaN

共同點

其(qi)最典型的的脈(mo)沖(chong)發(fa)生器CW使(shi)用(yong)性能，2020 MHz，48 V，10μs脈(mo)沖(chong)造成的參數，10%pwm占空比，三人組合所在(zai)

P3dB=350W時的工作輸(shu)出電率(lv)

P3dB時的有錯誤率(lv)=65%

男模3d模型(xing)1C級（跟據ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

無鉛并充分(fen)滿足RoHS細則

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