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PXAE263708NB-V1是CREE的十款400瓦（P3dB）LDMOS FET，利用于2620至2690 MHz頻段的多的標準蜂窩狀瓦數放縮器新技術采用。包括填寫打印輸出兼容性測試；高增加收益各種兼備無突緣的熱增進芯片封裝模式。PXAE263708NB-V1進行顯著的LDMOS的工藝高技術；PXAE263708NB-V1具備有順暢的熱穩定義高性和良好的人身安全機械性能。

貨品金橋(qiao)銅業跨(kua)接線的截(jie)面(mian)積(ji)大小(xiao)

具體分析：高(gao)電(dian)功率(lv)RFLDMOS FET400W（P3dB）；28v；2620-2690MHz

更(geng)低平(ping)率（MHz）：2620

較高規律（MHz）：2690

P3dB輸出精(jing)度額定功率（W）：400

增(zeng)益值(zhi)（dB）：13.5

速率（%）：47

額(e)定負(fu)載電流(liu)電壓(ya)（V）：28

封(feng)裝類型(xing)行業類型(xing)：塑膠板材

裝封：裝封風格分立單晶體(ti)管

工藝：LDMOS

共同點

移動(dong)寬帶內(nei)部的發送導出支持(chi)

非呈對稱性(xing)Doherty構思：主P1dB=140W舉例值；至高(gao)值P1dB=260 W典型(xing)性(xing)值

關鍵的脈沖造成的CW功(gong)能；2655MHz；28v；多爾蒂(di)構型；AB類：P1dB=200W時(shi)的輸出功(gong)效；P3dB=400W時(shi)的讀取瓦數；吸收(shou)率=49%（POUT=57 W平均）；增加收(shou)益=15 dB（POUT=57 W對(dui)數正態分(fen)布）

還可(ke)以進(jin)行處(chu)理32 V時10:1的VSWR；100 W（CW）打印輸出(chu)輸出(chu)

集成化化ESD保障

無鉛并提(ti)供RoHS規范

廣州(zhou)市立維創展科學技術受限(xian)大公司授(shou)權管(guan)理經銷商(shang)CREE微波射頻集成電路(lu)芯(xin)片，要是必須 購(gou)CREE食品，請點擊(ji)量右下博主聯絡我們的！！！