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GaN寬帶晶體管模具
MATR-GSHC03-160150 GaN HEMT有的是種移動端寬帶晶胞管集成ic，應對DC-3.5 GHz業務實行了SEO。該光學元器件支持軟件CW，脈寬和線形業務，輸出精度公率為45 W（46.5 dBm）。MATR-GSHC03-160150愈來愈常適用國防軍事有線通信，陸上移動端有線電，飛機光學系統，有線基礎上安全設施，ISM應該用和VHF / UHF / L / S中波段雷達天線。主要包括SIGANTIC®技藝生產制造 - 一個專有的GaN-on-Silicon技藝。

品牌	型號	貨期	庫存
MACOM	MATR-GSHC03-160150	1周	120

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特征
 Si HEMT D模式晶體管裸片上的GaN
 2.5 GHz時54％的漏極效率
 12 dB增益@ 2.5 GHz
 28 V操作
 寬帶操作DC - 3.5 GHz
 適用于線性和飽和應用
 活動區周邊：16毫米
 100％DC測試
 符合RoHS *標準
 芯片尺寸：0.60 mm x 4.49 mm x 0.1 mm
 出(chu)口分類：EAR99

應用
 航空電子學
 國防通訊
 ISM應用程序
 VHF / UHF / L / S波段雷達
 無線基礎設施

產品規格
測試頻率：2.5 GHz
增益：12 dB
電源電壓：28 V.
PSAT：45瓦

MACOM是環球僅有的代替頻射應該用的GaN on Si水平給予商。讓讓公司的在Si RF做工作電壓結晶胞管物品上給予大量的多次波（CW）GaN，當作分立器材和輸出模塊，設計制作做工作在DC至6 GHz。讓讓公司的的高做工作電壓CW和非線性結晶胞管是民用建筑航材電子器件機，數據網絡通信，數據網絡，長輸入脈沖雷達天線、重工業，科學的和醫治應該用的抱負的選擇。讓讓公司的的物品組和再生利用了MACOM不低于60年的傳統式，縱使用GaN on Si水平給予原則和制作緩解方法，以擁有消費者最刻薄的具體需求。讓讓公司的的GaN on Silicon物品，通過分立結晶胞管和集合變大器，通過0.5μmHEMT生產技術，在做工作電壓，增加收益值，增加收益值陡峭度，工作效率層面成績出表現出色的RF安全性能，