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CREE的WGC22630是款630 W（P4dB）GaN-on-Silicon Carbide HEMT放大器，非常適合多標準化蜂窩功率放大器技術需求設計。WGC22630具備2110-2200 MHz的優化操作控制熱增強的包覆塑料封裝。

特征描述GaN基SiC HEMT科技單設置脈沖信號CW特點：2155 MHz，48 V，40μs設置脈沖信號高度，10%pwm占空比，組合成設置傷害輸出瓦數@P4dB=630 WP4dB=68%時的質量實現RoHS規范化產品設備外形尺寸說：熱促進GaN擴大器630 W，48 V，2110-2200 MHz較高頻繁 （MHz）：2200交流電壓交流電壓（V）：48PSAT Watt（W）：85增益控制（dB）：16.5封裝形式：TO288-8L成都市立維創展科技發展十分有限機構管理權限供應商CREE微波加熱集成電路芯片，假如必須要購CREE貨品，請點一下右面博主找你們！！！