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　　AMCOM的(de)AM020MH2-A-BI-R是(shi)其BI系列GaAs HiFET的(de)一部(bu)分。這款HiFET是(shi)一種部(bu)分匹配的(de)專利設計，適用(yong)(yong)于(yu)高(gao)電壓(ya)、高(gao)功(gong)率和寬(kuan)帶應用(yong)(yong)。此組件具有4毫米的(de)總設備周長。AM020MH2-BI-R專為高(gao)功(gong)率微波(bo)應用(yong)(yong)設計，頻率范圍最高(gao)可達6GHz。

　　BI款型主要采用獨特設汁的衛浴陶瓷封裝，具備著直引腳裝設設計風格。封裝底層的法蘭部一同為DC接地線極、RF接地線極和導熱路徑名。還有長種屈曲引腳游戲版本適合于面上貼裝技術(SMT)app。

　　特點

　　- 網絡帶寬環節適配：DC至2.4GHz　　- 高頻率使用：可以達到6GHz　　- 高收獲控制：在3.5GHz時收獲控制15dB　　- 高工作效率：在3.5GHz時P1dB為31dBm　　- 高非線性度：在3.5GHz時IP3為46dBm　　- 邊側保護接地有郊散熱器

　　應用

　　- 光纖寬帶應用軟件　　- 高端電壓10V至14V　　- 遠程網段　　- PCS通信基站　　- WLAN、中繼器和HIPERLAN　　- 統計和空航通信網

　　參數：

Bias at 14V/270mA (S2P file downloadable from the Web)
Freq (MHz)	MAG(S11)	ANG(S11)	MAG(S21)	ANG(S21)	MAG(S12)	ANG(S12)	MAG(S22)	ANG(S22)
200	0.621	-18.621	8.642	167.68	0.045	13.795	0.405	4.177
500	0.631	-43.6	8.277	149.531	0.036	-25.302	0.509	-3.917
1000	0.64	-80.941	7.365	121.484	0.028	-26.833	0.578	-25.813
1500	0.679	-107.195	6.336	98.301	0.025	-25.939	0.601	-44.057
2000	0.683	-130.367	5.444	76.973	0.024	-29.102	0.615	60.441
3000	0.687	-167.484	4.115	39.754	0.02	-40.691	0.647	88.875
4000	0.677	163.773	3.294	7.847	0.014	-56.361	0.692	-112.52
5000	0.641	137.336	2.805	-21.489	0.003	-153.734	0.706	-129.172
6000	0.599	105.863	2.726	-51.602	0.023	43.555	0.79	146.367
7000	0.541	58.244	2.604	-87.004	0.037	7.578	0.817	-166.602
8000	0.571	0.882	2.359	125.16	0.047	-25.074	0.839	172.109
9000	0.687	-45.787	2	-162.023	0.057	-52.545	0.83	150.031
10000	0.808	-78.57	1.688	163.75	0.069	80.164	0.799	126.715

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