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DS855關鍵特征
32位頻率調諧字和13位相位分辨率
具有11位分辨率的片上DAC
11位調相端口
時鐘頻率高達2.2 GHz，正弦波產生高達1.2 GHz
50個后端的互補模擬波形輸出
最差SFDR＞50 dBC
復位引腳啟動第0階段啟動狀態
·高速選通以更新頻率字和DAC輸出頻率
高速選通輸入由微控制器或DSP芯片控制，用于實時啁啾
頻率更新速率與8個時鐘周期一樣快
3.2瓦的工作電壓與單-5.0V電源模塊

品牌	型號	貨期
EUVIS	DS855	3-4周

    

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DS855應用

雷達設計和測試
衛星通信
VSAT
電子戰
無線基站
射頻信號源的產生
儀表和半導體測試器
較為先進的電力調試

描述
ds855是高速(su)(su)直(zhi)接(jie)數字頻(pin)(pin)率(lv)合成器（DDS）與一(yi)(yi)個32位(wei)頻(pin)(pin)率(lv)調諧(xie)分(fen)辨率(lv)，11位(wei)相(xiang)位(wei)調制輸(shu)(shu)入和11位(wei)的幅度分(fen)辨率(lv)。第一(yi)(yi)奈奎斯特帶中的正弦(xian)波(bo)(bo)可(ke)(ke)(ke)以(yi)產(chan)生(sheng)到接(jie)近1.2 GHz（在2.5GHz時鐘速(su)(su)率(lv)）。初始相(xiang)位(wei)可(ke)(ke)(ke)以(yi)重置(zhi)為(wei)零度的正弦(xian)波(bo)(bo)開始。該芯片(pian)(pian)有(you)一(yi)(yi)對互補輸(shu)(shu)出(chu)50Ω后端(duan)。輸(shu)(shu)出(chu)波(bo)(bo)形的頻(pin)(pin)率(lv)可(ke)(ke)(ke)由三(san)十二個頻(pin)(pin)率(lv)控制位(wei)VIIO 0~VIY31控制。輸(shu)(shu)出(chu)波(bo)(bo)形的相(xiang)位(wei)可(ke)(ke)(ke)以(yi)由11位(wei)PI00~PIY10相(xiang)位(wei)調制輸(shu)(shu)入進(jin)行調制。的ds855接(jie)受互補時鐘輸(shu)(shu)入或單端(duan)時鐘輸(shu)(shu)入的特點(dian)50?片(pian)(pian)回(hui)到終(zhong)端(duan)用戶定義(yi)的閾值。頻(pin)(pin)率(lv)分(fen)辨率(lv)位(wei)接(jie)受TTL或CMOS輸(shu)(shu)入電平(ping)。只需要一(yi)(yi)個5V的電源。