欧美亚洲一区-欧美激情一区-欧洲一区二区-欧美激情一区二区

UMS微波通信CHK5010-99F是一(yi)款革命性(xing)的4W氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaNHEMT)，可為(wei)各種射(she)頻功率應用提供多功能寬帶解決方案。該產品(pin)在SiC襯底上采用GaNHEMT技術制(zhi)造(zao)，確保了優異的性(xing)能和可靠(kao)性(xing)。

多晶體管以裸晶片樣式給出，想要靜態識別電源線路就要充足發揮作用其能力。殊不知，是那樣設計的基本特征傳遞了CHK5010-99F豐厚的功能模塊和豐富的操作能力。核心亮點也包括其經驗豐富的移動寬帶能力素質，兼容將高達12 GHz的電磁和連續不斷波操作流程。系統定制GaN系統，該定制可控制高工作輸出和高PAEDC偏置，在Vo=30V @lp_o=50mA時控制最好的特點。另外，該存儲芯片體現了0.90x0.80x0.1mm的主體工程長度，縱使在異常的空間中也能否更好集成型。不光其優異的性，CHK5010-99F還適用RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006標準化，確認區域和人身安全。這讓業主在選用和動用商品時舒心，而從不總怕對區域的克影響力。雖然，CHK5010-99F就是款可以相信的能指標GaN硫化鋅管，存在常見的選用和出彩的能力。其最令的印象感觸頗深的能指標和完全符合服務業規范標準使其將成為微波射頻熱效率選用的不靠譜取舍，為該科技領域發展壯大了新的應該性。

Symbol	Parameter	Min	Typ	Max	Unit
Gss	Small Signal Gain		21.6		dB
PsAT	Saturated Output Power		36		dBm
PAE	Max Power Added Efficiency		72		dB
GPAE_MAX	Associated Gain at Max PAE		14		dB

成都市立維創展科技裝修公司有限制裝修公司授權經銷UMS微波，針對部分型號的UMS產品提供優質的現貨產品庫存，歡迎咨詢。