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DC-22 GHz（L，S，C，X，Ku，K頻段）2位數字衰減器

CMD281C3有的是款負操(cao)縱，移動(dong)寬帶GaAs MMIC 2個數字衰減器(qi)，通過無引腳3x3 mm外壁貼裝封裝。衰減器(qi)的每個位由0 V或(huo)-5 V的單獨的電阻值抑制。衰減器(qi)位數值2 dB和4 dB，總衰減為6 dB。CMD281C3在10 GHz時有1.5 dB的低導入消耗，衰減定位精(jing)度常(chang)為0.1 dB步(bu)進電機(ji)差(cha)值。CMD281C3進行50歐姆識別規劃，暫時無法RF接(jie)口(kou)識別。

品牌	型號	貨期
Custom mmic	CMD281C3	3-4周

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特色

• 網絡帶寬機械性能
• 放材料耗費低
• 6 dB衰減依據
• 合適無鉛RoHs標準化的3x3 QFN封裝類型

包

• 3x3 mm陶瓷圖片QFN
• 按照RoHS細則
• MSL評估：MSL1
• ESD分等級：1A級

運作	典(dian)型(xing)案例(li)
頻段（GHz）	DC - 22
比特數	2
插(cha)。耗損率（dB）	1.5
釋放空間（dB）	6
復制粘貼P0.1dB（dBm）	28
進入IP3（dBm）	42
步偏差（dB）	0.1
保持交流電壓（V）	0 / -5

CUSTOM MMIC選取GaAs枝術制定制作制作和標準規范表明貼裝（SMT）存儲芯片封裝和裸片獲取式RF /紅外光衰減器，以具備各類高特性制定制作的需求分析。借助于電壓降降可調衰減和超大帶特性，那些獲取衰減器可做到到達40 GHz（K波長）的嵌入不足。那些RF /紅外光MMIC選取50歐姆適合制定制作，不可接口適合，幾乎鈍化和防水防潮保護性，于是從而提高了不靠譜性。存儲芯片寸尺小至2x2公厘。應用在K和Ka波長制定制作的電壓降降可調衰減器MMIC。

CUSTOM MMIC開發訂制和要求從表面貼裝（SMT）芯片封裝和裸片樣式的溶解式RF /紅外光加熱衰減器，選擇GaAs技術工藝，以滿意高的效能開發的的需求。依靠自己阿拉伯大小數操作衰減和超高帶的效能，這類阿拉伯大小數衰減器可達成超過40 GHz（K中中波段）的復制到材料耗費。這類RF /紅外光加熱MMIC選擇50歐姆相配開發，不能不端口處相配，非常鈍化和防水防潮愛護，而使提生了牢靠性。 應用于L，S，C，X，Ku，K和Ka中中波段開發的阿拉伯大小數衰減器MMIC