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發布(bu)新(xin)聞(wen)耗(hao)時(shi):2018-08-15 11:03:00 看:2262
CMD283C3有的(de)是(shi)款(kuan)光(guang)纖寬(kuan)帶MMIC低(di)躁音(yin)增(zeng)(zeng)加器,采(cai)用(yong)了無引腳(jiao)3x3 mm外壁貼裝打(da)包封裝。CMD283C3異常采(cai)用(yong)來要求小長寬(kuan)高和低(di)顯卡功耗的(de)EW和流量操(cao)作系統。該集成電路芯片(pian)對帶寬(kuan)機械(xie)性能去了SEO優化(hua),可展示27 dB的(de)增(zeng)(zeng)益控制,在(zai)4 GHz時躁聲數值為0.6 dB。CMD283C3采(cai)用(yong)了50歐姆相(xiang)配來設(she)計,不(bu)需要表面DC板塊和RF端口號相(xiang)配。
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Custom mmic
CMD283C3
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CUSTOM MMIC低噪聲放大器(LNA)
CUSTOM MMIC已開發出高性能砷化鎵和氮化鎵射頻/微波超低噪聲放大器(LNA),以滿足低偏置電流,低偏置電壓,極低噪聲系數,高增益和寬帶操作的嚴格設計要求。它們的可用頻率范圍為2至45 GHz(L至Q頻段),并采用超小型裸片和小型QFN封裝。我們的GaAs和GaN MMIC LNA適用于高度敏感的SATCOM和雷達應用,并且具有高生存性RF /微波軍用和航空無線電設計。額外的LNA功能包括單個正偏壓電源和20 dBm的(de)輸入功率處理(li)。
特點
性能(neng)參數
具代表(biao)性
頻帶寬度(GHz)
2 - 6
增益值(dB)
27
噪音污染指數(dB)
0.6
相位嘈音(dBc / Hz)
輸送P1dB(dBm)
16
輸入輸出Psat(dBm)
18
OIP3(dBm)
26
偏置交流電壓Vdd / Vgg(V)
+2到+5 / +1.5
偏置功率(mA)
42
包
3x3 mm QFN